차세대 메모리의 기능을 높일 수 있는 핵심 소재가 새로 개발됐다. 이번 개발은 기존 메모리의 10분의 1 수준의 전력으로 구동 가능한 차세대 반도체의 상용화를 앞당길 수 있다.미래창조과학부는 박병국 한국과학기술원(KAIST) 교수와 이경진 고려대 교수 공동연구팀이 차세대 자성(자석의 성질) 메모리(MRAM)의 동작 속도를 높이고 동시에 집적도(데이터 용량의 크기)도 높일 수 있는 기술을 개발하는데 성공했다고 13일 밝혔다.
MRAM은 기존 실리콘 반도체 메모리와 달리 얇은 자성 박막으로 만든 메모리로 데이터를 저장하는 부품이다. 외부에서 전원을 공급하지 않아도 정보를 유지할 수 있는 비휘발성 메모리이며 동작 속도가 빨라 '체세대 메모리'로 주목받고 있다.
연구진은 이번 연구에서 MRAM에 이리듐-망간(IrMn) 합금과 같은 새로운 소재를 도입했다. 기존 기술에 비해 메모리의 동작 속도가 10배 이상 빠르고 동시에 집적도를 높일 수 있다.
박 교수는 "이번 연구는 MRAM의 상용화 가능성을 한 걸음 더 발전시킨 것에 의미가 있다"며 "추가 연구를 통해 기록성능이 뛰어난 신소재 개발에 주력할 예정"이라고 밝혔다.
이번 연구결과는 국제학술지 '네이처 나노테크놀로지' 11일자에 실렸다.
한경닷컴 뉴스룸
기사제보 및 보도자료 open@hankyung.com
[한경닷컴 바로가기] [스내커] [한경+ 구독신청]
ⓒ 한국경제 & hankyung.com, 무단전재 및 재배포 금지
