[ 윤정현 기자 ] SK하이닉스는 실리콘 관통 전극(TSV) 기술을 적용한 초고속 메모리 D램을 개발했다고 26일 발표했다.
TSV 기술은 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 만들어 전기적 신호를 전달하는 방식으로 데이터 처리 성능을 높이면서 크기를 줄일 수 있다고 회사 측은 설명했다.
SK하이닉스는 내년 상반기께 샘플 제품을 내놓은 뒤 이르면 하반기부터 양산에 나설 계획이다. 제품은 시스템온칩(SoC)과 같이 탑재돼 패키지형 시스템으로 공급한다.
윤정현 기자 hit@hankyung.com
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