10나노급 5세대 DDR5, 동작속도 6.4Gbps…인텔 데이터센터 호환성 검증
기존 제품 대비 처리 속도 14% 향상…전력 소모는 20% 줄여
(서울=연합뉴스) 김기훈 기자 = SK하이닉스[000660]가 현존 D램 중 가장 미세화된 10㎚(나노미터·10억분의 1ｍ)급 5세대(1b) 기술 개발을 완료했다.
SK하이닉스는 이 기술이 적용된 서버용 DDR5를 인텔에 제공해 '인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램' 검증 절차에 돌입했다고 30일 밝혔다.
이 프로그램은 인텔의 서버용 플랫폼인 제온 스케일러블 플랫폼에 사용되는 메모리 제품의 호환성을 공식 인증하는 성격을 지닌다.
앞서 SK하이닉스는 올해 1월 10나노급 4세대(1a) DDR5 서버용 D램을 4세대 인텔 제온 스케일러블 프로세서에 적용해 업계 최초로 인증받은 바 있다.
이번에 인텔에 제공된 DDR5 제품은 동작 속도가 6.4Gbps(초당 기가비트)로, 현재 시장에 나와 있는 DDR5 중 가장 빠른 속도를 구현했다고 회사 측은 설명했다.
이는 1초에 5GB(기가바이트)의 FHD(풀HD) 영화 10편을 처리할 수 있는 속도다.
DDR5 초창기 시제품보다 데이터 처리 속도가 33% 향상된 것이다. 또 기존 1a 제품과 비교하면 14%가량 처리 속도가 빨라졌다.
또 이번 1b DDR5에 'HKMG'(High-K Metal Gate) 공정을 적용해 기존 1a DDR5 대비 전력 소모를 20% 이상 줄였다.
HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정으로, 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있는 것이 특징이다.
SK하이닉스는 1b 기술 개발을 통해 높은 성능과 우수한 전력효율을 갖춘 D램 제품을 공급할 수 있게 될 것이라고 기대했다.
SK하이닉스 김종환 부사장(DRAM개발담당)은 "올해 하반기부터 메모리 시장 상황이 개선될 것이라는 전망이 나오는 가운데, 당사는 1b 양산 등 업계 최고 수준의 D램 경쟁력을 바탕으로 하반기 실적 개선을 가속화할 것"이라고 말했다.
또 "내년 상반기에는 1b 공정을 저전력 D램인 LPDDR5T, 차세대 고대역폭 메모리인 HBM3E로도 확대 적용할 것"이라고 덧붙였다.
SK하이닉스는 올해 하반기 8Gbps 데이터 전송 성능을 갖춘 HBM3E 제품 샘플을 준비하고, 내년 양산할 예정이다.
인텔 디미트리오스 지아카스 메모리I/O기술부문 부사장은 "인텔은 DDR5와 인텔 플랫폼의 호환성 검증을 위해 메모리 업계와 밀접하게 협업하고 있다"며 "SK하이닉스의 1b DDR5는 인텔의 차세대 제온 스케일러블 플랫폼에 활용될 것"이라고 말했다.
SK하이닉스는 인텔 호환성 검증이 완료된 1a DDR5를 인텔의 다음 세대 제온 스케일러블 플랫폼에도 적용할 수 있도록 추가 인증 절차를 함께 진행하고 있다고 밝혔다.
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