2세대보다 생산성 27% 향상…삼성전자 차세대 반도체 '추격'
(서울=연합뉴스) 최재서 기자 = SK하이닉스[000660]가 3세대 10나노급(1z) 16Gb(기가비트) 더블데이터레이트(DDR)4 D램을 개발했다.
SK하이닉스는 올해 안에 양산 준비를 완료해 내년부터 본격적으로 양산에 돌입할 예정이라고 21일 밝혔다. 삼성전자의 올초 3세대 10나노급 D램 개발에 뒤이은 것으로 글로벌 반도체 경기의 회복이 예상되는 내년을 대비한 포석으로 풀이된다.
DDR은 표준형 D램에 비해 데이터 처리 속도가 얼마나 빠르냐에 따라 DDR2, DDR3 등으로 구분되는데, DDR4 규격에 3세대 10나노급 미세공정을 적용한 게 이번 제품이다.
미세공정은 세대를 거듭할수록 생산하는 칩의 크기가 작아지고, 이에 따라 웨이퍼 1장에 들어가는 칩의 개수가 늘어나면서 생산성을 높일 수 있게 된다.
이번에 개발된 D램은 단일 칩 기준 업계 최대 용량을 구현해 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총량도 가장 크다는 게 회사 측 설명이다.
통상 사무용 PC 한 대에 들어가는 8GB(기가바이트)의 모듈을 만들 때 8Gb D램 8개가 필요하지만, 16Gb D램은 4개만 있어도 같은 용량을 구현할 수 있다.
이에 따라 제품 생산성은 2세대(1y) 대비 약 27% 향상됐으며 2세대 8Gb 제품으로 구성된 같은 용량의 모듈보다 전력 소비를 40% 줄일 수 있게 됐다.
D램 개발사업 1z 태스크포스(TF)장 이정훈 담당은 "이번 D램은 고성능·고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품"이라며 "내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극적으로 대응할 것"이라고 밝혔다.
지난 3월 3세대 10나노급 8Gb DDR4 D램 개발에 성공했다고 밝힌 삼성전자[005930]는 9월부터 이 제품의 양산에 돌입한 것으로 확인됐다.
올해 2분기 실적 설명회에서는 1z D램 생산에 극자외선(EUV)을 도입하기 위해 연구소에서 장비 평가를 진행 중이라고 언급하기도 했다.
SK하이닉스도 EUV 장비를 갖춘 생산라인을 내년 하반기 가동할 예정이지만 3세대 D램에 적용하지는 않을 계획이다.
업계 관계자는 "삼성전자와 SK하이닉스는 내년에 다가올 반도체 경기의 회복기를 준비하고 있는 것"이라며 "점유율이 확대되고 있는 미세공정 시장에서의 접전이 예상된다"고 전망했다.
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