(서울=연합뉴스) 정성호 기자 = 삼성전자가 데이터센터 등 3D(3차원) V-낸드플래시 수요 증가에 대응하기 위해 중국 시안(西安)의 반도체 공장에 2기 생산라인을 건설한다.
삼성전자는 28일 중국 산시성(陝西省) 시안시(西安市)에서 '삼성 중국 반도체 메모리 제2 라인 기공식'을 열었다고 밝혔다.
삼성전자는 작년 8월 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 3년간 총 70억 달러(약 7조8천억원)을 투자하겠다고 산시성 정부와 MOU(양해각서)를 체결했다.
시안 반도체 2기 라인은 내년 중 완공될 예정이며 이후 반도체 생산장비를 들여와 V-낸드 양산에 나서게 된다.
삼성전자 관계자는 "이번 2기 투자를 통해 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 모바일·IT(정보기술) 업체들의 생산기지가 집중돼 있는 중국 시장에서 제조 경쟁력을 더 강화하고, 중국 시장 요구에 더 원활히 대응할 수 있을 것으로 기대한다"고 말했다.
V-낸드는 기존의 평면 낸드와 달리 회로를 위로 쌓아 3차원 구조로 만든 낸드플래시로, 집적도가 높아 용량이 크다.
최근 글로벌 IT 기업들이 경쟁적으로 짓고 있는 데이터센터는 물론, 스마트폰 저장장치, HDD(하드디스크드라이브)를 대체할 SSD(솔리드스테이트드라이브) 등을 중심으로 수요가 늘고 있다.
삼성전자는 2014년부터 시안 반도체 공장에서 V-낸드를 양산해왔으나 가동률이 100%임에도 공급이 달리자 라인 증설에 나섰다.
김기남 삼성전자 대표이사 사장은 기념사에서 "시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께 차별화된 솔루션을 고객에게 제공해 글로벌 IT 시장 성장에 기여하겠다"고 말했다.
류궈중(劉國中) 산시성 성장은 "삼성 프로젝트 2기 착공을 축하한다"며 "산시성은 앞으로도 삼성과 그 협력사들의 발전을 지원하며 협력관계를 강화할 것"이라고 말했다.
삼성전자는 이번 투자로 시안시를 비롯한 산시성 지역의 경제 활성화와 중국 서부지역의 산업에도 긍정적 파급효과가 있을 것으로 예상했다.
기공식에는 후허핑(胡和平) 산시성 성위서기, 먀오웨이(苗우<오목할 우, 土+于>) 공신부 부장, 류궈중 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사, 김기남 사장 등이 참석했다.
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