삼성전자가 세계 최대 규모 반도체 생산시설인 평택캠퍼스 3라인을 7일 본격 가동했다. 이곳에서 생산 경쟁력을 높여 반도체 ‘초격차’를 유지해 나간다는 전략이다.
삼성전자는 이날 경기 평택캠퍼스에 연면적 99만1736㎡ 규모로 지은 3라인을 처음 대외에 공개했다. 지난 7월 낸드플래시 생산 시설을 구축하고 웨이퍼를 투입한 데 이어 본격적인 가동을 알린 것이다.
경계현 삼성전자 DS부문(반도체) 사장은 “평택캠퍼스 3라인은 미래 반도체 시장 주도권을 확보하는 핵심 역할의 의미가 크다”고 말했다. 가동 초기에는 첨단 낸드플래시 생산에 초점을 맞추기로 했다. 삼성전자는 2002년 세계 낸드플래시 시장 점유율 1위에 오른 뒤 20년간 수성해왔다. 평택 3라인을 가동해 낸드플래시 시장 지배력을 먼저 강화하고 D램과 파운드리(반도체 수탁생산) 경쟁력까지 두루 끌어올린다는 계획이다.
삼성전자는 평택 3라인에 극자외선(EUV) 공정 기반 D램과 5나노 이하 파운드리 공정 등 첨단 생산시설을 확대할 계획이다. 평택 3라인을 완전히 구축하는 데는 30조원이 투입될 것으로 알려졌다. 경 사장은 “대만 TSMC 등 경쟁사의 주요 고객을 어떻게든 모셔올 것”이라며 “내년 말께엔 삼성 파운드리의 입지가 확 달라져 있을 것”이라고 강조했다.
3라인을 포함한 삼성전자 평택캠퍼스는 세계 최대 규모 반도체 생산기지다. 조 바이든 미국 대통령과 윤석열 대통령이 올 5월 방문해 한·미 반도체 협력을 논의한 곳이다. 부지 규모가 축구장 400개를 합친 289만㎡에 달한다.
삼성전자는 평택캠퍼스에 반도체 공장을 세 곳 더 지어 6개 생산시설을 구축할 계획이다. 당장은 글로벌 소비 침체 등으로 업황이 흔들리고 있지만 5년 뒤, 10년 뒤를 보고 투자한다는 방침이다.
평택=정지은 기자 jeong@hankyung.com
