삼성전자가 반도체 미세공정의 한계로 여겨지던 10나노급 D램 양산에 성공한 데 이어 반도체 코리아의 다른 한 축을 이루는 SK하이닉스도 '마의 10나노 벽'을 깨기 위해 개발에 박차를 가하고 있다.
삼성전자와 SK하이닉스의 글로벌 D램 시장 점유율 합계(시장조사기관 IHS 기준)는 2014년 3분기부터 2015년 4분기까지 6분기 연속 최고치를 찍었다.
6일 반도체 업계와 시장조사기관들에 따르면 반도체 미세공정은 생산성과 직결된다. 1나노미터(nm)는 10억분의 1m로 원자 3개의 지름 크기이다.
공정이 미세화할수록 웨이퍼 선폭에 더 많은 집적회로를 그려넣을 수 있어 메모리 용량을 늘릴 수 있다. 데이터 처리 용량을 늘리면서 속도는 빨라지고 소비전력은 줄어드는 이유가 여기에 있다.
SK하이닉스는 지난해 10월부터 20나노 초반대(2z급) D램을 양산하고 있다. SK하이닉스는 올 하반기 중 10나노 후반대(10x급) D램의 개발에 성공한 뒤 내년 초부터 양산에 들어갈 것으로 보인다.
반도체 업계의 한 관계자는 "메모리 수요가 줄면서 가격이 급락하는 상황에서 한국 업체들은 본원적 기술력을 바탕으로 어려운 시장환경을 돌파하는 수밖에 없다"고 말했다.
경쟁업체인 마이크론(미국)은 SK하이닉스가 양산 단계인 20나노 초반대 공정으로 아직 완전히 넘어오지 못한 상황이다.
IHS를 비롯한 주요 시장조사기관의 예상으로는 올해 D램 시장 규모는 축소될 것으로 예상되지만 한국 업체들의 점유율 합계는 사상 최대치를 경신할 것으로 기대된다.
한경닷컴 산업경제팀 bky@hankyung.com
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