(서울=연합뉴스) 김아람 기자 = DB하이텍[000990]은 초고전압(UHV) 전력반도체 공정 기술을 업그레이드하며 사업을 본격화하고 있다고 27일 밝혔다.
초고전압 전력반도체 공정은 가전, 자동차, 통신 등 폭넓은 분야에서 모터를 구동하는 게이트 드라이버 IC(집적회로)의 설계와 제조를 지원한다.
이번 공정 기술 업그레이드로 DB하이텍은 게이트 드라이버 IC에서 '레벨 시프터' 절연 방식과 '갈바닉' 절연 방식을 동시에 사용할 수 있는 환경을 제공한다.
이를 통해 고객은 칩 설계가 용이한 레벨 시프터와 고전압 동작에서 안정성이 높은 갈바닉 방식 각각의 장점을 살릴 수 있다.
또 공정 활용도 기존 가전 분야에서 자동차나 태양광 분야로 확장될 것으로 회사 측은 기대했다.
DB하이텍은 "향후 실리콘 전력반도체에서 구현할 수 있는 전 영역대의 공정 기술을 확보하면서, 응용 분야별로 최적화된 게이트 드라이버 IC 설계 환경을 제공할 것"이라고 밝혔다.
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