속도·생산성 30% 이상 향상…메모리카드 등 전 제품 적용
(서울=연합뉴스) 김동현 기자 = 삼성전자는 기존 3세대(48단) 대비 성능과 신뢰성을 개선한 '4세대(64단) 256Gb(기가비트) 3비트 V낸드플래시'를 본격 양산한다고 15일 밝혔다.
4세대 V낸드는 '초고집적 셀 구조·공정', '초고속 동작 회로 설계', '초고신뢰성 CTF 박막 형성' 등 3가지 기술을 적용해 3세대 대비 속도와 생산성, 전력 효율을 모두 30% 이상 향상한 제품이라고 삼성전자는 설명했다.
앞서 삼성전자는 작년 8월 미국에서 4세대 V낸드를 공개했고 지난 1월부터 B2B(기업 간 거래) 고객들에게 4세대 V낸드를 기반으로 한 SSD(솔리드 스테이트 드라이브)를 공급하기 시작했다.
삼성전자는 앞으로 4세대 V낸드 기반 제품을 모바일용 eUFS, 소비자용 SSD와 메모리카드 등 제품 전체로 확대하고 올해 안에 4세대 V낸드 월간 생산 비중을 50% 이상으로 늘릴 계획이다.
4세대 V낸드 제품은 현재 경기도 화성사업장에서 생산 중이며 이달 말 완공 예정인 평택사업장에서도 곧 생산에 들어갈 예정이다.
V낸드는 수십 개의 단을 쌓아 올려 셀(정보를 저장하는 공간)을 3차원 수직으로 적층하는 데 단수가 높아질수록 구조가 틀어지는 현상이 발생하는 등 물리적 한계가 있다.
이에 삼성전자는 '9-홀'이라는 '초고집적 셀 구조·공정' 기술로 기존 적층 한계(90단)를 극복, 반도체 칩 하나에 1조개 이상의 정보를 저장하는 '1Tera(테라) 비트 V낸드' 시대를 여는 원천 기술을 확보했다고 설명했다.
또 '초고속 동작 회로 설계'로 초당 1Gb(기가비트)의 데이터를 전송해 셀에 데이터를 기록하는 속도도 3세대 V낸드보다 약 1.5배 빠르다.
'초고신뢰성 CTF 박막 형성' 기술로 셀 크기를 줄이면서도 수명을 늘렸고 셀과 셀 사이의 데이터 간섭 현상을 줄여 3세대 대비 신뢰성을 20% 개선했다.
삼성전자는 지난 15년간 '3차원 수직구조 V낸드플래시'를 연구하며 500건 이상의 핵심 특허를 개발해 미국, 일본 등 세계 각국에 출원을 완료했다고 밝혔다.
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