SK하이닉스, 'HBM4' 개발 완료…양산 체제 구축

SK하이닉스는 초고성능 인공지능(AI)용 메모리 신제품인 고대역폭 메모리 HBM4 개발을 마무리하고 양산 체제를 세계 최초로 구축했다고 12일 밝혔다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치·고성능 제품으로서 AI 칩의 핵심 부품이다.

SK하이닉스는 "새로운 AI 시대를 견인하게 될 HBM4 개발에 성공하고 이 기술적 성과를 기반으로 세계 최초의 HBM4 양산 체제를 구축했다"며 "이를 통해 당사의 AI 메모리 기술 리더십을 글로벌 시장에서 다시 한번 입증했다"고 밝혔다.

조주환 SK하이닉스 부사장은 "고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입(Time to Market)을 실현할 것"이라고 밝혔다.

최근 AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 늘어나면서 더 빠른 시스템 속도를 구현하기 위한 HBM 수요가 급증하고 있다.

여기에 막대한 전력을 소모하는 데이터센터 운영 부담까지 가중되면서 메모리의 전력 효율 확보가 고객들의 핵심 요구사항으로 부상했다.

SK하이닉스는 향상된 대역폭과 전력 효율을 갖춘 HBM4가 이 같은 요구를 해결하는 최적의 설루션이 될 것으로 내다봤다.

이번에 양산 체제를 갖춘 HBM4는 이전 세대(HBM3E)보다 2배 늘어난 2,048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 끌어올렸다.

이 제품을 고객 시스템에 도입 시 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상할 수 있다.

또한, SK하이닉스는 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작 속도를 구현해, HBM4의 국제반도체표준화기구(JEDEC) 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어넘었다고 밝혔다.

SK하이닉스는 HBM4 개발을 위해 시장에서 안정성이 검증된 자체 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했다.

MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다.

김주선 SK하이닉스 AI 인프라 사장은 "AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 'AI 메모리 프로바이더'로 성장해 나가겠다"고 말했다.