SK하이닉스가 차세대 맞춤형 고대역폭메모리(HBM)을 위해 패키징 기술 개발에 속도를 내겠다고 밝혔다.
5일 SK하이닉스는 자사 뉴스룸에 이규제 PKG제품개발 담당 부사장의 인터뷰를 공개하며 이같이 전했다.
6세대 제품인 HBM4 16단부터는 어드밴스드 MR-MUF, 하이브리드 본딩 기술을 모두 검토해 고객 수요에 부합하는 최적의 방식을 쓰겠다는 계획이다.
D램 여러 개를 쌓아 만드는 HBM 특성상 적층 수가 많아질수록 방열, 휨 현상 등이 발생해 이를 해결할 수 있는 첨단 패키징 기술을 활용하겠다는 전략이다.
이 부사장은 "커스텀 HBM에 맞춰 차세대 패키징 기술을 개발하겠다"며 "방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편, 하이브리드 본딩 등 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획"이라고 말했다.
특히 하이브리드 본딩 기술은 16단 이상 HBM 제품에서 필요성이 커지고 있다. 하이브리드 본딩은 칩을 적층할 때 칩과 칩 사이에 범프를 형성하지 않고 직접 접합시키는 기술이다. 이 기술을 활용하면 칩 전체 두께가 얇아져 고단 적층이 가능해진다는 강점이 있다.
이 부사장은 "표준 규격에 따라 제품 두께는 유지하면서도 성능과 용량을 높이기 위한 칩의 고단 적층의 방편으로 최근 하이브리드 본딩 등 차세대 패키징 기술이 주목받고 있다"며 "위아래 칩 간격이 좁아져 생기는 발열 문제는 여전히 해결해야 할 과제이지만, 점점 더 다양해지는 고객의 성능 요구를 충족시킬 설루션으로 기대를 모으고 있다"고 설명했다.
SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용한 HBM4 12단 제품을 내년 하반기에 출하하고, 오는 2026년 수요 발생 시점에 맞춰 HBM4 16단 제품 출시를 준비한다는 방침이다.
