<앵커>
삼성전자가 2나노미터 공정 파운드리를 2025년부터 본격 양산하겠다고 밝혔습니다.
세계 최초로 3나노에 성공한지 1년만에 구체적인 기술 초격차 로드맵을 공개하며 대만 TSMC를 잡겠다는 뜻을 분명히 했습니다.
이서후 기자가 보도합니다.
<기자>
삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 열린 삼성 파운드리 포럼에서 2나노 이하 공정 로드맵을 처음으로 내놨습니다.
2025년 모바일 부문에 2나노 공정을 도입하고, 이어 2026년엔 고성능 컴퓨팅(HPC), 2027년에는 차량용 반도체까지 확대한다는 계획입니다.
2나노를 뛰어넘는 1.4나노 공정은 예정대로 2027년부터 양산하기로 했습니다.
삼성전자는 현재 3나노에 활용하고 있는 게이트올어라운드(GAA)를 향후 2나노와 1.4나노까지 도입한다는 계획입니다.
GAA는 초미세 반도체 공정기술의 일종으로, 기존 핀펫과 비교해 고성능·저전력이어서 차세대 게임 체인저로 불립니다.
삼성전자는 지난해 6월 TSMC를 제치고 세계 최초로 3나노 공정 반도체 양산에 성공했습니다.
그리고 약 1년만에 2나노 공정까지 기술력을 앞당긴 겁니다.
삼성전자에 따르면 2나노 공정은 3나노 2세대 공정 대비 성능과 전력효율이 각각 12%, 25% 향상됩니다.
미세 공정에 사활을 거는 이유는 인공지능(AI) 반도체 등 커지는 차세대 반도체 시장을 장악하기 위해섭니다.
파운드리 고객사 확보에도 속도를 높이기로 했습니다.
삼성은 애플·엔비디아 등 대형 고객사를 확보한 TSMC에 맞서 최첨단 패키지 협의체 '멀티다이통합(MDI) 동맹' 출범을 예고했습니다.
또 2나노 공정에 사용할 최첨단 고속 반도체 설계자산(IP)을 내년 상반기까지 확보해 견고한 협력사 생태계를 구축한다는 구상입니다.
TSMC 또한 올해 2나노 공정 시제품을 소량 생산한다고 밝히며 삼성 견제에 나선 상황입니다.
TSMC는 2027년에 1.4나노를 시범 생산하고 2028년 본격 양산 계획을 내놨습니다.
이에 맞선 삼성은 올해 하반기 경기 평택 3라인, 내년 하반기 미국 테일러 1라인 양산에 돌입할 예정입니다.
경계현 삼성전자 사장은 앞서 "2나노부터는 삼성이 앞설 수 있다"고 자신하며 "5년안에 TSMC를 따라잡겠다"고 선언했습니다.
한국경제TV 이서후입니다.
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