고대역폭메모리(이하 HBM) 중심으로 이어지던 메모리 투자가 범용 D램(DRAM)과 낸드(NAND) 증설로 확대되면서 실제 웨이퍼 투입과 생산량이 함께 늘어나는 국면에 들어섰다는 분석이 나왔다.
2일 하나증권에 따르면 D램 웨이퍼 투입량은 2027년까지 2025년 대비 약 15% 증가하고 낸드도 2027년부터 증가세로 전환될 전망이다.
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평택 P4와 M15X의 램프업에 이어 용인 Y1 장비 발주와 평택 P5 공급사 선정 등 후속 투자도 구체화 되고 있다.
메모리 공급 부족은 당분간 이어질 가능성이 높다. 삼성전자는 공급 부족이 2027년 심화돼 2028년까지 지속될 것으로 전망했으며 D램 공급충족률은 2027년 말 -5.7%까지 떨어질 것으로 예상했다.
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후공정 투자도 확대되고 있다. SK하이닉스는 P&T7에 19조 원을 투입하고 있으며 삼성전자도 HBM과 첨단 패키징 생산능력을 확대하고 있다.
HBM 투자로 기존 후공정 캐파가 부족해지면서 범용 패키징·테스트 물량의 외주화도 진행되고 있다.
이에 따라 국내 소부장 업체들의 수혜 범위도 장비에서 소재·부품·테스트 분야로 확대될 전망이다.
검사·계측, 테스트 장비 및 부품, 패키징 소재·장비, OSAT(Out-sourced Semiconductor Assembly and Test, 범용 메모리 후공정) 업체 등이 주요 수혜주로 거론된다.
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정유진 기자 jinjin@hankyung.com
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