삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 등 차세대 D램 개발에 속도를 내고 있다.
26일 산업계에 따르면 삼성전자는 최근 HBM3 16GB(기가바이트)와 24GB 제품 샘플을 고객사에 제공했다. 양산 준비도 완료한 것으로 알려졌다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 끌어올린 고성능 반도체다. 챗GPT 같은 생성형 인공지능(AI) 분야에 널리 쓰이는 그래픽처리장치(GPU)에 주로 장착된다. 삼성전자가 고객사에 샘플을 보낸 HBM3 16GB 제품은 데이터 처리 속도가 업계 최고 수준인 초당 6.4Gb(기가비트)다. 전력 소모량은 이전 세대 제품보다 적은 것으로 알려졌다.
삼성의 HBM 제품이 들어가는 AI용 반도체는 증가하는 추세다. 예컨대 미국의 팹리스(반도체 설계전문 기업) AMD가 최근 공개한 AI용 슈퍼칩 MI300에 삼성전자의 HBM3가 장착됐다. 인텔과 미국 아르곤국립연구소가 최근 구축한 슈퍼컴퓨터 오로라에도 삼성전자의 첨단 메모리 반도체가 들어간 것으로 알려졌다.
삼성전자는 HBM 외에도 데이터 처리에 강점을 지닌 차세대 D램을 개발했다. 메모리 반도체와 시스템 반도체를 융합한 HBM-PIM(processing-in-memory), D램 용량 한계를 극복할 수 있는 CXL D램 등이 대표적이다. 이들 제품은 챗GPT 같은 대규모 AI 모델을 가동할 때 반도체 내에서 데이터 정체 현상이 생기는 것을 방지할 수 있다.
황정수 기자 hjs@hankyung.com
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