"D램 내년 대부분 20나노 공정 전환…격차 벌릴 것"
삼성전자[005930]는 3세대(48단) V낸드를 늦어도 10월에 내놓을 것이라고 30일 밝혔다.
백지호 삼성전자 전무는 이날 2분기 실적 발표 후 진행한 콘퍼런스콜에서 "V낸드는 현재 2세대까지 개발했으며 3세대는 3분기, 늦어도 10월까지는 나오지 않을까생각한다"고 말했다.
백 상무는 "3세대 V낸드가 나오면 원가경쟁력이 어떤 제품보다 좋을 것"이라며"V낸드의 장점인 고신뢰성, 고용량, 고성능을 바탕으로 하이엔드 수요를 끌어올릴수 있다"고 설명했다.
그는 "개발이 완료되면 상황을 봐서 램프업 시기가 조정될 것으로 예상된다"며"비중은 구체적으로 밝힐 수 없지만 상반기 대비 하반기가 3배 이상 늘어난다고 보면 된다"고 말했다.
최근 스마트폰 시장에서 디스플레이 해상도는 물론 메모리 성능이나 용량 경쟁을 벌이고 있는 만큼 하반기 낸드플래시 부문의 수요도 견조할 것으로 내다봤다.
글로벌 시장을 리드하고 있는 D램 부문에서도 경쟁업체와의 격차가 확대될 것으로 전망했다.
백 상무는 "우리는 연내 20나노 공정 컨버젼을 어느 정도 (완료)하면 진정한 효과는 내년부터 나오게 되는데 다른 회사들이 내년에 20나노로 전환한다해도 결과는그 다음에 나타날 것"이라며 "내년 1월부터 삼성의 대부분 물량은 20나노 공정으로이뤄지기 때문에 그렇지 않은 회사와 분명히 격차가 있을 것"이라고 말했다.
시스템LSI 부문에서도 하반기에 14나노 파운드리 매출이 전년 대비 큰 폭 늘어나는 것을 포함해 사업부 전체 매출의 증가세가 계속될 것으로 내다봤다.
nomad@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>
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