작년 4분기 가격 8% 하락에도 비트 성장률 30% 고공행진
지난해 연간 5조원대 영업이익을 올리며 사상 최대 실적을 거둔 SK하이닉스[000660]가 작년 4분기 낸드플래시 시장에서도 가격 압박을 딛고 도약했다.
세계 메모리 반도체 시장 중 D램 부문에서는 삼성에 이어 2위를 굳건히 지키는SK하이닉스는 낸드플래시 시장에선 그동안 부침을 거듭하며 5위권으로 분류됐다.
여전히 순위는 5위에 머물러 있지만, 점유율 격차를 급격히 좁히고 있어 머지않아 3위권 진입을 넘볼 것으로 전망된다.
8일 반도체 전자상거래사이트 디램익스체인지에 따르면 SK하이닉스는 작년 4분기 비트(bit) 성장률 30%로 고공행진을 하면서 시장 점유율을 전분기보다 1.1%포인트 높아진 11.4%로 끌어올렸다.
비트 성장률이란 생산한 메모리 반도체의 용량을 비트 단위로 환산해 비교한 수치이다. 수량·매출과 달리 메모리 집적도를 반영한 성장률 비교 기준이다.
매출액도 전분기보다 13.0% 늘렸다. 더욱이 작년 4분기 8%의 평균판매단가(ASP)하락이 있었음에도 실적 견인을 이뤄낸 것이다.
SK하이닉스는 낸드플래시 시장 세계 3위 샌디스크와의 점유율 격차를 8%포인트대에서 6%포인트대로 좁혔다. 4위 마이크론에는 2%포인트 차이 정도로 따라붙었다.
디램익스체인지의 트렌드포스 보고서는 SK하이닉스가 2차원 낸드플래시 공정에서가장 미세한 수준인 16나노미터 공정의 생산 비중을 꾸준히 늘린 덕분에 높은 비트성장률을 유지할 수 있었다고 평가했다.
반면, 메모리 시장 부동의 세계 1위 삼성전자[005930]는 낸드플래시 시장에서도수위를 지켰지만, 작년 4분기 매출이 전분기보다 4.2% 줄어드는 등 성적표는 썩 신통치 못했다.
삼성전자는 5%의 비트 성장률을 올렸지만, 가격이 10%나 추락하면서 시장 점유율이 29.7%에서 27.9%로 약간 떨어졌다. 2위 도시바와의 시장 점유율 격차도 7.1%포인트에서 6.0%포인트 차이로 다시 좁혀졌다.
디램익스체인지는 그러나 삼성이 올해는 3차원(3D) V낸드 공정을 성숙 단계로진입시키면서 반도체 업계 평균인 35∼40%보다 높은 비트 성장률을 올릴 것으로 전망했다.
삼성의 3비트 V낸드는 3차원 수직구조로 집적도를 높인 V낸드에 데이터 저장 효율을 높인 3비트 기술(TLC·트리플레벨셀)을 적용한 고성능 낸드플래시이다.
낸드플래시는 D램과 더불어 메모리 반도체의 양대산맥으로 불리는 플래시 메모리로 저장단위인 셀을 수직으로 쌓는다. D램과 달리 전원을 꺼도 정보가 계속 저장돼 모바일 기기, 디지털카메라, 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 등에 두루 쓰인다.
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