3나노는 MBCFETTM 구조 적용해 구현
삼성전자가 지난 22일 미국 산타 클라라 메리어트 호텔에서 '삼성 파운드리 포럼 2018'을 개최하고 14나노부터 3나노까지의 반도체 공정 로드맵을 공개했다고 23일 밝혔다.
삼성 파운드리 포럼은 팹리스 업계 고객사, 파트너사, 애널리스트 등을 초청해 매년 확장되는 파운드리 시장 규모와 차별화된 기술력을 바탕으로 향후 파운드리 사업 비전을 제시하는 자리다.
이번 행사에서 삼성전자는 주력 양산 공정인 14/10나노 공정과 극자외선(EUV)을 활용한 7/5/4나노 공정 로드맵과 함께 3나노 공정까지의 계획을 발표했다. 삼성전자는 내년 상반기 7나노 LPP 생산을 시작하고 스마트 스케일링 공법을 통해 5나노 반도체도 개발한다는 방침이다. 또 4나노가 핀펫을 적용한 마지막 공정이 될 것이며 차세대 트랜지스터 구조인 MBCFETTM을 최초 적용해 3나노의 문을 열 계획이라고 설명했다.
배영창 삼성전자 파운드리 사업부 전략마케팅팀장(부사장)은 “지난해는 EUV 공정을 적용한 포트폴리오 강화에 주력했다”며 “향후 GAA(Gate-All-Around)구조를 차세대 공정에 적용해 기술 리더십을 선도할 뿐 아니라 기기 간의 연결성을 강화한 새로운 시대도 열어가겠다”고 말했다.
삼성 파운드리 포럼 2018은 이번 미국 포럼을 시작으로 6월 중국 상하이, 7월 한국 서울, 9월 일본 도쿄, 10월 독일 뮌헨으로 이어질 예정이다.
오세성 한경닷컴 기자 sesung@hankyung.com
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