4GB 제품 동일 크기…저장 용량 2배·소비전력 효율 약 2배 향상
삼성전자가 활용도와 성능을 강화하면서 프리미엄 D램 시장을 한 단계 업그레이드했다.
삼성전자는 '8GB(기가바이트) HBM2(고대역폭 메모리, High Bandwidth Memory) D램' 양산 규모를 늘리고 공급을 확대한다고 18일 밝혔다.
삼성전자는 작년 6월 8GB HBM2 D램 양산을 시작해 인공지능(AI) 서비스에 활용되는 슈퍼컴퓨터용(HPC) 메모리 시장에 공급했다. 이번 양산으로 네트워크, 그래픽카드 시장까지 D램 활용처가 확대될 전망이다.
8GB HBM2 D램은 기존 그래픽 D램(8Gb GDDR5, 8Gbps)의 전송 속도(32GB/s)보다 8배 빠른 초당 256GB 속도로 데이터 전송이 가능하다. 20GB용량 UHD급 화질의 영화 13편을 1초에 전송하는 속도다.
8GB HBM2 D램에는 삼성전자의 '초고집적 TSV 설계'와 '발열 제어 기술' 등 850여 건의 핵심 특허가 적용됐다. 고객들의 차세대 시스템에 고용량, 초고속, 초절전 등 최적의 솔루션을 제공한다.
이번 제품은 1개의 버퍼 칩 위에 8Gb(기가비트) HBM2 D램 칩(20나노 공정 기반) 8개를 적층한 구조다. 각 칩에 5000개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개 이상의 'TSV 접합볼'로 수직 연결한 '초고집적 TSV 설계 기술'이 적용됐다.
대용량의 정보를 처리시 일부 TSV에서 데이터 전달이 지연될 경우 성능 저하가 발생하지 않도록 다른 TSV로 경로를 전환시켜 최적의 성능을 유지할 수 있도록 했다. 삼성전자는 고속 동작시 칩의 특정 영역이 제한 온도 이상으로 상승하지 않도록 하는 '발열 제어 기술'도 개발해 적용했다.
또한 4GB HBM2 D램과 동일한 크기에 2배의 용량을 제공한다. 인공지능 시스템의 성능 한계 극복하고 차세대 시스템의 소비전력 효율도 약 2배 높였다는 평가다.
삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 한재수 부사장은 "업계에서 유일하게 양산 중인 8GB HBM2 D램 공급 확대로 고객들이 차세대 시스템을 출시하는 데 기여하게 됐다"며 "양산 규모를 확대해 내년 상반기에는 그 비중을 50% 이상으로 늘리겠다"고 말했다.
김하나 한경닷컴 기자 hana@hankyung.com
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