[ 권민경 기자 ] 삼성전자가 중국 시안에 건설 중인 3D 낸드플래시(V낸드)공장의 2단계 투자를 보류했다는 일부 보도에 대해 "사실 무근"이라며 반박했다.
17일 이 회사 관계자는 "중국 시안 반도체 공장은 계획대로 투자가 진행되고 있다"며 "올 상반기 가동 목표 역시 변함이 없다"고 밝혔다.
이 관계자는 "추가 투자라는 게 결국 가동 이후 램프업(생산량 확대) 속도를 말하는데 이는 시장 환경에 따라 유동적으로 대응하는 것"이라고 강조했다.
이날 일부 언론은 삼성전자가 V낸드의 기술적 안정성을 문제로 시안 공장 2차 투자를 잠정 보류하기로 했다고 보도했다.
이같은 보도가 나간 직후 반도체 장비주들이 일제히 급락했다. 코스닥시장에서 오후 2시20분 현재 원익IPS 740원(7.64%) 떨어진 8950원을 나타냈다. 테스는 650원(5.51%) 내린 1만1150원, 유진테크는 350원(1.79%) 하락한 1만9150원을 각각 기록했다.
V낸드는 반도체 웨이퍼 위에 데이터를 저장하는 층을 겹겹이 쌓아 올려 집적도를 높인 제품이다. 20나노미터 기존 낸드와 비교했을 때 용량은 2배 이상 높지만, 윗단에서 아랫단으로 구멍을 뚫어 전극을 연결해야 하기 때문에 불량이 나기 쉽다는 지적이 있다.
삼성전자 관계자는 "기술적으로 문제가 있다는 보도 역시 사실과 전혀 다르다"며 "24단 V낸드는 이미 양산 체제에 들어갔고 32단은 기술 개발 중에 있다"고 말했다.
한경닷컴 권민경 기자 kyoung@hankyung.com
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