650V GaN HEMT 공정 고객 지원 시작…신규 클린룸 확장 추진
(서울=연합뉴스) 김민지 기자 = DB하이텍이 차세대 전력반도체인 '650V 전계모드 질화갈륨 고전자이동도 트랜지스터(E-Mode GaN HEMT)' 공정 개발을 마무리하고 시험생산용 웨이퍼를 10월 말 제공한다고 11일 밝혔다.
길화갈륨(GaN) 소재의 반도체는 기존 실리콘(Si) 기반의 반도체에 비해 고전압, 고주파, 고온에 강하며 전력 효율이 높아 전기차, 인공지능(AI) 등 미래 시장에서 차세대 전력반도체로 각광받고 있다.
시장조사기관 욜디벨롭먼트에 따르면, GaN 시장은 2025년 5억 3천만 달러에서 2029년 20억 1천3백만 달러로 연평균 약 40%로 성장할 전망이다.
이번에 DB하이텍이 개발한 650V E-Mode GaN HEMT는 그중에서도 고속 스위칭과 안정성이 특장점이어서 전기차 충전기, 데이터센터의 전력변환기, 5G 통신 분야 등에서 활용도가 높다.
지난 2022년부터 DB하이텍은 GaN, SiC 등 화합물반도체를 차세대 사업으로 정하고 공정 개발을 진행해 왔다.
이번 공정 개발을 시작으로 IC(집적회로) 형태로 설계할 수 있는 200V GaN 공정과 650V GaN 공정을 2026년 말까지 순차 개발할 계획이다.
또한 현재 충북 음성에 있는 상우캠퍼스에 클린룸 확장도 추진한다.
DB하이텍은 8인치 웨이퍼 월 3만 5천 장가량을 증설할 수 있는 규모로, 신규 클린룸에서 GaN을 비롯해 BCDMOS, SiC 등이 생산될 예정이라고 설명했다.
증설이 완료되면 DB하이텍의 생산능력(캐파)은 현재 15만 4천장 대비 23% 증가한 19만 장이 될 전망이다.
한편, DB하이텍은 오는 15일부터 18일까지 부산 벡스코에서 개최되는 ICSCRM 2025(국제탄화규소학술대회)에 참가해 SiC를 포함한 GaN, BCDMOS 등 전력반도체 최신 기술 개발 현황을 선보일 예정이다.
jakmj@yna.co.kr
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