(서울=연합뉴스) 조승한 기자 = 과학기술정보통신부는 9일 서울 서초구 엘타워에서 '반도체 글로벌 첨단 팹 연계 활용' 사업을 위해 나노종합기술원과 미국 NY 크리에이츠 간 기술협력 양해각서(MOU)를 맺었다고 밝혔다.
이번 체결은 한미 정상회담 등에서 반도체 분야 기술 교류 필요성의 논의됨에 따른 후속 조치라고 과기정통부는 설명했다.
NY 크리에이츠는 미국의 첨단 공공팹으로 300㎜ 반도체 연구 인프라를 활용해 IBM 등의 기술개발과 인력양성을 지원하고 있다.
과기정통부는 이번 협력과 연계해 한미 공공팹을 통한 공동연구개발, 소재·부품·장비 실증, 인력교류 등을 지원한다.
이날 체결식 이후에는 국내 연구자, 소재·부품·장비 관련기업 등 200여 명이 참석한 한미 반도체 테스트베드 홍보 콘퍼런스도 열렸다.
또 NY 크리에이츠와 국내 기업, 연구기관 간 비즈니스 미팅도 열렸다.
한편 나노종합기술원은 설립 20주년을 맞아 '나노반도체 국제포럼'을 10일 대전컨벤션센터에서 연다.
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