(서울=연합뉴스) 인교준 기자 = 세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 기업인 대만 TSMC가 2024년에 네덜란드 장비업체 ASML의 차세대 극자외선(EUV) 노광장비인 '하이 뉴메리컬어퍼처(NA) EUV'를 도입할 것이라고 밝혔다.
16일(현지시간) 로이터통신에 따르면 미국 실리콘밸리에서 열린 TSMC 기술 심포지엄에서 연구개발(R&D) 담당 미위제(YJ 미) 부사장이 이같이 밝혔다.
EUV 노광장비는 7㎚(나노미터=10억분의 1ｍ) 이하 초미세 반도체 공정 구현에 필수적인 장비로 전 세계에서 ASML에서만 독점 생산한다.
'하이 NA EUV'는 현재 가장 최첨단인 차세대 EUV 노광장비다.
앞서 올해 초 미국 인텔이 ASML의 양대 고객인 TSMC와 삼성전자보다 먼저 이 장비 도입 계약을 맺어 시장을 놀라게 했다.
인텔은 2025년까지 이 장비를 통한 제품 생산에 나설 방침이다.
미 부사장은 하이 NA EUV를 이용한 반도체 양산 시기는 밝히지 않았다.
TSMC의 비즈니스 개발 선임부사장인 케빈 장은 2024년에는 하이 NA EUV를 양산에 투입할 준비가 되어 있지는 않을 것이라면서 주로 협력사들과 양산 준비 연구에 사용할 것이라고 말했다.
반도체 컨설팅업체 테크인사이트의 칩 이코노미스트인 댄 허치슨은 "하이 NA EUV는 반도체 기술을 선도하는 차세대 주요 혁신 기술"이라면서 TSMC가 이를 2024년에 확보함으로써 "가장 앞선 기술을 더 빨리 얻게 됐다"고 짚었다.
TSMC는 이 심포지엄에서 2025년 양산을 목표로 하는 2나노 공정 기술에 관해 설명했다.
TSMC는 15년간 개발한 종이처럼 얇고 긴 모양의 '나노시트'(Nano Sheet) 트랜지스터 기술을 2나노 공정에 최초 적용해 반도체 작동 속도와 전력 효율성을 높일 계획이다.
한편, 유럽 출장에 나선 이재용 삼성전자 부회장은 지난 14일 네덜란드 에인트호번에 있는 ASML 본사에서 피터 베닝크 최고경영자(CEO)를 만나 EUV 노광장비의 원활한 수급 방안을 논의했다.
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