512GB 최대 용량, 7천200Mbps 최대 속도 구현…인텔과 협력
(서울=연합뉴스) 서미숙 기자 = 메모리 반도체 1위 기업인 삼성전자[005930]가 업계 최고 수준의 고용량·고성능 차세대 메모리 DDR5 개발에 성공했다.
삼성전자는 업계 최초로 전송 속도를 7천200Mbps로 높인 512GB(기가바이트) 용량의 DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 25일 밝혔다.
차세대 D램 규격인 DDR5는 기존의 DDR4에 비해 2배 이상의 성능을 자랑한다.
삼성전자는 이 D램에 업계 최초로 시스템 반도체 제작에 쓰이던 '하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate, 이하 HKMG)' 공정을 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현했다.
HKMG 공정은 절연 효과가 높은 High-K(하이-케이) 물질을 절연막에 적용해 두께는 줄이면서 누설 전류를 줄여 기존 공정 대비 전력소모를 13% 감소시켰다.
일반 DDR5 D램의 전송 속도가 4천800∼5천600Mbps인 것에 비해 삼성전자는 HKMG 기술을 적용해 전송 속도를 7천200Mbps까지 확장했다.
이는 30GB 용량의 UHD급 영화 2편을 1초에 처리할 수 있는 속도다.
또한 전력 소모가 적어 차세대 컴퓨팅이나 대용량의 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 응용처에서 최적의 솔루션을 제공한다.
이 제품에는 범용 D램 가운데 처음으로 8단 TSV(실리콘 관통 전극) 기술을 적용해 16Gb(기가비트) 기반의 용량을 512GB로 확대했다.
삼성전자는 최대 수요처인 인텔과 긴밀하게 협력하며 차세대 D램 생산을 준비중이다.
차세대 DDR5는 인텔이 선보이는 제온 스케일러블 프로세서인 사파이어 래피즈(Sapphire Rapids)에 탑재될 예정이다.
메모리사업부 상품기획팀 손영수 상무는 "삼성전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 기술 경쟁력을 결합해 업계 최초로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다"며 "뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대되면서 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화할 것"이라고 말했다.
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