SK하이닉스, D램 생산에 EUV 시대 열다…이천 M16 공장 준공(종합)
3조5천억원 투자해 2년여 만에 준공…올해 6∼7월부터 D램 생산
최태원 회장 "M16은 큰 계획의 완성…용인 클러스터로 이어지는 출발점"
(서울=연합뉴스) 서미숙 기자 = SK하이닉스[000660]가 본격적으로 D램 반도체 생산에 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 노광 장비 시대를 열고 메모리 반도체의 미세공정화를 앞당긴다.
SK하이닉스는 1일 경기도 이천 본사에서 'M16' 공장 준공식을 했다.
'We Do Technology 행복을 열다'를 주제로 열린 이날 준공식에는 최태원 SK그룹 회장을 비롯해 최재원 수석부회장, 조대식 SK수펙스추구협의회 의장, 박정호 SK하이닉스 부회장, 장동현 SK㈜ 사장, 이석희 SK하이닉스 CEO, 하영구 선임사외이사 등 핵심 인사 16명이 참석했다.
구성원과 협력회사 직원들은 화상 연결을 통해 언택트(비대면)로 행사에 참여했다.
최태원 회장은 "반도체 경기가 하락세를 그리던 2년 전 우리가 M16을 짓는다고 했을 때 우려의 목소리가 컸다"며 "하지만 이제 반도체 업사이클 얘기가 나오고 있는 만큼 어려운 시기에 내린 과감한 결단이 더 큰 미래를 꿈꿀 수 있게 해줬다"고 소회를 밝혔다.
최 회장은 "M16은 그동안 회사가 그려온 큰 계획의 완성이자 앞으로 '용인 클러스터'로 이어지는 출발점으로서 중요한 상징으로 남을 것"이라고 의미를 전했다.
용인 반도체 클러스터 조성사업은 용인일반산업단지㈜가 용인 처인구 원삼면 일원 416만㎡에 차세대 메모리 생산기지를 구축하는 것으로 SK하이닉스는 이곳에 약 122조원을 투자해 반도체 생산 단지를 조성한다.
이날 준공한 M16 공장에는 SK하이닉스 최초로 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 노광 장비가 도입된다.
EUV 공정은 반도체 포토 공정에서 극자외선 파장의 광원을 사용하는 것으로, 기존 불화아르곤(ArF)의 광원보다 파장의 길이가 짧아(10분의 1 미만) 반도체에 미세 회로 패턴을 구현할 때 유리하고 성능과 생산성도 높일 수 있다.
SK하이닉스는 2018년 11월 M16 착공 이후 총 3조5천억원, 연인원 334만명을 투입해 25개월 만에 준공했다.
주로 D램 제품을 생산하게 될 M16은 SK하이닉스가 국내외에 보유한 생산 시설 중 최대 규모를 자랑한다.
건축면적이 5만7천㎡로 축구장 8개 크기이며 길이 336m, 폭 163m, 높이는 아파트 37층에 달하는 105m로 건축됐다. 장비를 포함한 총 투자비는 약 20조원 정도다.
M16에는 올해 안에 EUV 장비 2대가 설치될 것으로 알려졌으며, 이 장비를 통해 하반기 이후 4세대 10나노급(1a) D램 EUV 적용 제품을 생산할 예정이다.
EUV가 아닌 일반 장비를 통한 양산은 6∼7월중 시작된다.
SK하이닉스는 최첨단 인프라를 기반으로 이 공장을 차세대 성장동력으로 키워낼 계획이다.
이석희 사장은 "M16 준공은 SK하이닉스가 2015년 이천 M14 준공식에서 밝힌 '미래비전'의 조기 달성이라는 점에서 의미가 있다"며 "향후 경제적 가치 창출은 물론 ESG(환경·사회·지배구조) 경영에도 기여하는 한 단계 높은 차원의 생산기지가 될 것"이라고 말했다.
SK하이닉스의 M16 공장 가동으로 메모리 반도체 업계에는 미세공정을 적용한 차세대 D램 생산 경쟁이 더욱 치열해질 전망이다.
삼성전자는 지난해 3월 1세대 10나노급(1x) DDR4에 EUV 공정을 시범 적용해 고객 평가를 마쳤으며 올해 하반기 선보일 차세대 D램인 DDR5와 모바일용 LPDDR5부터 EUV 장비로 양산에 들어갈 예정이다.
글로벌 D램 3위 업체인 미국의 마이크론테크놀로지는 지난 1월 말 세계 최초로 4세대 10나노급 차세대 D램을 출하했다고 발표했다. 이 제품에는 EUV 장비가 아닌 기존 불화아르곤(ArF) 장비가 사용됐다.
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