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SK하이닉스, 2029년 미국산 HBM 만든다…인디애나 팹 착공

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SK하이닉스, 2029년 미국산 HBM 만든다…인디애나 팹 착공

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    SK하이닉스가 미국 내 차세대 고대역폭메모리(HBM) 생산거점을 구축하기 위해 첫 삽을 떴다.

    SK하이닉스는 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트 라피엣에서 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 공장 '인디애나 팹' 기공식을 열었다.

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    이날 기공식에는 곽노정 SK하이닉스 사장을 비롯해 유정준 SK그룹 미주총괄 부회장, 이형희 SK그룹 부회장, 강경화 주미한국대사, 마이크 브런 인디애나 주지사, 토드 영 연방 상원의원 등이 참석했다.

    인디애나 팹은 SK하이닉스가 미국에 처음으로 구축한 HBM 생산 전초기지다.

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    내후년 10월 클린룸이 완공돼 오는 2029년 하반기부터 차세대 HBM 양산에 돌입한다. 총 40억 달러(약 5조 5천억 원) 이상 투자될 예정이다.

    한국에서 생산된 최첨단 웨이퍼가 인디애나로 들어오면, 현지에서 어드밴스드 패키징과 테스트를 거친 뒤 '메이드 인(Made in) USA' HBM 제품으로 미국 고객에게 공급되는 구조다.


    인디애나 팹 생산이 본격화하면 1천여 명의 인력이 이끄는 미국 내 핵심 HBM 생산거점으로 성장할 전망이다.

    또 SK하이닉스는 '어드밴스드 패키징 연구개발(R&D) 테스트베드'도 구축한다.

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    고객·대학·비즈니스 파트너가 함께 차세대 패키지 기술을 개발해 시제품 제작과 성능 검증을 빠르게 수행하게 될 전망이다.

    특히 SK하이닉스는 인디애나 투자를 통해 미국 반도체 생태계를 강화하고 한미 경제 협력의 선순환을 이끌 것으로 기대하고 있다.

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    SK하이닉스는 미국 내 회사들과 7천여 개의 직간접 일자리를 팹 건설과 운영을 통해 창출할 계획이다.

    또 이날 기공식에서 퍼듀대학교와 어드밴스드 패키징 분야의 연구개발 협력을 위한 업무협약(MOU)도 체결했다.

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    양측은 HBM을 비롯한 차세대 시스템 통합 및 어드밴스드 패키징 기술을 공동으로 연구한다.

    나아가 SK하이닉스는 미 중서부 지역의 주요 대학 및 연구 기관과의 협력도 확대해 글로벌 최고 수준의 인재 양성과 영입에 집중할 예정이다.

    곽 사장은 "미국은 최고의 고객과 연구 역량, 생태계가 함께하는 AI 혁신의 중심지이고, 인디애나 팹은 최초로 '메이드 인 USA' HBM을 제공하는 거점이 될 것"이라고 말했다.

    이어 그는 "미국에 대한 투자와 협력을 확대하고 함께 성장하며, 미국 AI의 미래를 같이 만들어가는 가장 신뢰받는 파트너가 되겠다"고 강조했다.


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