중국의 메모리 반도체 기업 CXMT가 베이징에 신규 D램 공장 건설을 추진합니다.
CXMT가 생산능력을 빠르게 늘리면서 내년에는 미국의 마이크론을 제칠 것이라는 전망도 나옵니다.
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특히 차세대 메모리로 떠오른 LPDDR6 양산도 임박해 메모리 3사와의 기술 격차도 상당히 좁혔다는 평가입니다.
자세한 내용 산업부 홍헌표 기자와 알아보겠습니다.
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CXMT가 그야말로 물량공세를 퍼붓는군요?
<기자>
창신메모리(CXMT)가 베이징에 4번째 D램 팹을 건설합니다.
외신에 따르면 CXMT는 베이징 동남부 이장(Yizhuang) 지역에 12인치 메모리 반도체 공장 신설을 검토 중입니다.
현재 CXMT의 D램 공장은 본사가 있는 허페이시에 A1, A2 팹 2개와 베이징에 C1 팹 1개로 총 3개가 있습니다.
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이번에 베이징에 C2를 짓겠다는 것이고, 추가로 허페이에 3번째 팹과 상하이에도 건설을 추진합니다.
웨이퍼 월간 생산량으로는 올해 말 기준 삼성전자 72만 장, SK하이닉스 60만 장, 마이크론 38만 장, CXMT 35만 장 수준으로 예상됩니다.
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글로벌 3사 역시 팹을 늘리고 있지만 중국 정부의 전폭적인 지원으로 CXMT의 증설 속도가 상당히 빠릅니다.
이에 내년에는 CXMT가 마이크론을 생산능력에서 일시적으로 앞설 것이라는 전망입니다.
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또 이대로 라면 오는 2030년에는 지금의 두 배인 월 60만 장도 무난하다는 분석입니다.
<앵커>
CXMT는 물량공세 뿐만 아니라 기술력에서도 메모리 3사를 빠르게 추격하고 있습니다. 특히 차세대 저전력 메모리인 LPDDR6 양산이 임박했다고요?
<기자>
그렇습니다. 창신메모리는 물량 공세와 함께 기술 개발 속도도 끌어올리고 있습니다.
CXMT는 차세대 모바일 D램인 LPDDR6의 R&D 검증을 사실상 마친 상황입니다.
R&D 검증이 끝나면 소량 양산에 들어가는데, 올해 말이면 대량 양산도 가능하다는 분석입니다.
LPDDR은 스마트폰·태블릿 등 모바일용 저전력 D램 규격으로 온디바이스 AI가 늘면서 수요가 급증하고 있습니다.
특히 최근에는 로봇과 자율주행차, AI 가속기의 CPU 옆에도 탑재되고 있습니다.
CXMT의 지난해 전체 매출 중 LPDDR이 약 70%를 차지할 정도입니다.
삼성전자와 SK하이닉스가 올해 초 LPDDR6 양산에 들어갔기 때문에 기술 격차가 1년 안쪽으로 좁혀진 겁니다.
CXMT는 LPDDR6를 양산하면 당분간 자국 내 스마트폰 기업 위주로 공급할 것으로 보입니다.
LPDDR6 수요가 늘어나더라도 중국발 수요가 CXMT로 쏠린다면 가격 상승 폭이 둔화되거나 가격 인하로 돌아설 가능성도 있습니다.
<앵커>
이미 범용 D램은 격차가 거의 없다는 평가도 나오는데, 우리 반도체 투톱과의 기술 격차는 어느 정도로 봐야합니까? 이제 HBM만 우위에 있다고 봐야 하나요?
<기자>
기술적으로 분석하면 LPDDR6는 CXMT가 껍데기는 다 따라왔다고 볼 수 있습니다.
겉으로 보이는 규격과 스펙은 비슷합니다.
다만 삼성과 SK하이닉스, 마이크론은 10나노급 6세대(1c 나노) 공정을 적용하고, CXMT는 10나노급 3세대(1z 나노) 공정을 씁니다.
미세공정의 기술 격차는 약 5년 정도 납니다.
ASML의 EUV(극자외선) 장비를 활용하지 못하기 때문인데, 미세공정에서 차이가 나면 메모리의 효율과 전력에서 차이가 발생합니다.
또 상대적으로 회로 선폭이 커서 웨이퍼 한 장당 생산 가능한 D램의 양이 줄어듭니다.
그래서 최근 CXMT가 DUV(심자외선) 장비를 우회해서 활용해보겠다는 전략이 나온 겁니다.
메모리 3사가 80%에 가까운 이익률을 기록하는 동안 CXMT가 50%대에 그치는 것도 이 영향이 적지 않습니다.
HBM에서는 삼성과 SK가 약 4~5년 가량 앞서 있습니다.
CXMT는 HBM3를 개발하고 있는데, 삼성과 SK하이닉스는 HBM4E까지 사실상 완료했습니다.
일반 D램과 모바일용 메모리는 거의 좁혀졌기 때문에 중국이 EUV 장비를 수입하지 못하는 동안 HBM 같은 고부가가치 제품에서 초격차를 벌려야한다는 분석입니다.
<앵커>
잘 들었습니다.