SK하이닉스, 용인 반도체 클러스터 1기 팹 착공

용인 반도체 클러스터에 건설되는 SK하이닉스 1기 팹(공장)이 본격 착공에 들어갔다.

당초 다음달부터 1기 팹 착공에 들어갈 계획이었으나 용인시가 예정보다 신속하게 인허가 절차를 진행, 지난 21일 건축을 허가하면서 착공 시점보다 계획보다 앞당기게 됐다.

25일 SK하이닉스는 총 4기의 팹을 순차적으로 조성하며, 첫 번째 팹은 2027년 5월 준공 목표로 건설해 나갈 계획이라고 밝혔다.

용인 반도체 클러스터는 총 415만㎡(약 126만평) 규모 부지에 SK하이닉스 팹 약 60만평, 소부장 업체 협력화단지 14만평, 인프라 부지 12만평으로 용인시 처인구 원삼면에 조성되는 반도체 산업단지다.

SK하이닉스는 122조원을 투자하는 내용이 포함된 조성 계획을 지난 2018년 공개했으나 각종 인허가 작업 등이 늦어지며 7년 만에 첫 삽을 뜨게 됐다.

최태원 SK그룹 회장은 지난 2023년 부지 조성 중인 현장을 찾아 "용인 클러스터는 SK하이닉스 역사상 가장 계획적이고도 전략적으로 추진되는 프로젝트"며 "도전과 혁신의 새로운 정신과 역사를 써나가자"고 말했다.

SK하이닉스 용인캠퍼스는 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로서 급증하는 AI 메모리 반도체 수요를 적기에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도할 예정이다.