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삼성, 차세대 EUV 확보 발판…30년 메모리 1위 지킨다

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현지시간 12일 경계현 삼성전자 사장과 피터 베닝크 ASML CEO가 네덜란드 벨트호벤 소재 ASML 본사에서 차세대 반도체 제조기술 R&D센터 설립 양해각서(MOU)를 체결하고 있다. (사진:연합뉴스)

삼성전자가 네덜란드 EUV(극자외선) 노광장비 기업 ASML과 함께 국내에 차세대 EUV 공동연구소 설립을 추진한다.

경계현 삼성전자 대표이사와 피터 베닝크 ASML CEO는 현지시간 12일 네덜란드 ASML 본사에서 'EUV공동 연구소 설립'에 관한 업무협약(MOU)에 서명했다.

EUV 공동 연구소는 국내 수도권 지역에 건설될 예정이다. 삼성전자와 ASML은 7억 유로, 우리돈으로 약 1 조 원을 투자해 차세대 노광 장비 개발을 추진한다.

이번 업무협약 체결로 삼성전자는 지난 1993년부터 30년간 지켜 온 글로벌 메모리 반도체 1위 위상을 지켜나갈 발판을 마련했다는 분석이다.

삼성전자는 ASML과 협력으로 차세대 하이 NA EUV 장비를 조기에 확보해 메모리 기술 혁신에 적용할 계획이다.

삼성전자는 2000년대부터 ASML과 초미세 반도체 공정 기술 및 장비 개발 협력을 지속해왔다. 2012년에는 ASML 지분 투자를 통해 파트너십을 강화한 바 있다.

이를 통해 지난 2020년 업계 최초 EUV 공정을 D램에 적용했고, 이듬해 업계 최선단 14나노 D램 양산, 올해는 12나노 D램 양산 성과를 거두기도 했다.

삼성전자는 이번 공동 연구소 설립을 통해 차세대 노광 장비를 조기에 도입하고 생산 비중도 확대해 메모리 미세공정 혁신을 주도할 방침이다.
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