SK하이닉스가 올해 3분기 연결기준 매출 9조 622억 원, 영업손실 1조 7,920억 원을 기록했다고 26일 공시했다.
지난해 같은 기간 보다 매출은 17.5% 감소했고, 영업이익은 적자전환했다.
시장에서는 SK하이닉스가 3분기 1조 5천억 원의 영업손실을 기록할 것으로 내다봤다.
실제 영업손실 규모는 시장 전망치 보다 소폭 컸지만 전분기 영업손실 2조 8천억 원 보다 1조 원 이상 줄었다.
SK하이닉스는 "고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 회사 경영실적은 지난 1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다"며 "특히 대표적인 AI용 메모리인 HBM3, 고용량 DDR5와 함께 고성능 모바일 D램 등 주력제품들의 판매가 호조를 보이며 전분기 대비 매출은 24% 증가하고 영업손실은 38% 감소했다"고 전했다.
이에 SK하이닉스는 D램 부문이 3분기 흑자로 돌아섰다고 밝혔다.
회사 측은 "무엇보다 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한 데 의미를 두고 있다"며 D램과 낸드 모두 판매량이 늘어난 데 이어 D램 평균판매가격(ASP) 상승이 큰 영향을 미쳤다고 설명했다.
제품별로 보면 D램은 AI 등 고성능 서버용 제품 판매 호조에 힘입어 2분기 대비 출하량이 약 20% 늘어났고, ASP 또한 약 10% 상승했다. 낸드도 고용량 모바일 제품과 SSD 중심으로 출하량이 늘었다.
SK하이닉스는 흑자로 돌아선 D램이 생성형 AI 붐과 함께 시황이 지속해서 호전될 전망이라고 관측했다.
적자가 이어지고 있는 낸드도 시황이 나아지는 조짐이 서서히 나타나고 있어 전사 경영실적의 개선 추세를 이어가기 위해 만전을 기하겠다는 입장이다.
회사는 올해 하반기 메모리 공급사들의 감산 효과가 가시화되는 가운데 재고가 줄어든 고객 중심으로 메모리 구매 수요가 창출되고 있으며 제품 가격도 안정세에 접어들고 있다고 강조했다.
이런 흐름에 맞춰 SK하이닉스는 HBM과 DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력제품에 대한 투자를 늘리기로 했다.
회사는 D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 D램 패키징 기술인 'TSV'에 대한 투자를 확대한다는 계획이다.
김우현 SK하이닉스 부사장은 "당사는 고성능 메모리 시장을 선도하면서 미래 AI 인프라의 핵심이 될 회사로 탄탄하게 자리매김하고 있다"며 "앞으로 HBM, DDR5 등 당사가 글로벌 수위를 점한 제품들을 통해 기존과는 다른 새로운 시장을 창출해낼 것이며 고성능 프리미엄 메모리 1등 공급자로서의 입지를 지속 강화해 나가겠다"고 말했다.
