전 세계 파운드리 시장의 최첨단 장비 도입 경쟁이 치열해지고 있다.
본격적인 경쟁은 미국 인텔이 ASML의 최첨단 극자외선(EUV) 장비를 TSMC와 삼성전자보다 먼저 도입하기로 하면서 시작됐다. 이어 TSMC도 도입 일정을 밝혔고 삼성은 이재용 부회장이 직접 네델란드를 찾아 ASML 경영진을 만났다.
현지시간으로 16일 로이터통신에 따르면 미위제 TSMC 부사장 미국 실리콘밸리에서 열린 TSMC 기술 심포지엄에서 "2024년에 ASML의 차세대 극자외선(EUV) 노광장비인 `하이 뉴메리컬어퍼처(NA) EUV`를 도입할 것"이라고 밝혔다.
다만, 이 장비를 이용한 구체적인 양산 시기를 밝히지는 않았다. 케빈 장 TSMC 선임부사장은 "2024년에는 `하이 NA EUV`를 양산에 투입할 준비가 되어 있지는 않을 것"이라며 "주로 협력사들과 양산 준비 연구에 사용할 것"이라고 설명했다.
극자외선(EUV) 노광장비는 7나노미터 이하 초미세 반도체 공정에 필수적인 장비로 네덜란드 ASML에서만 독점 생산한다. 이 가운데 `하이 뉴메리컬어퍼처(NA) EUV`는 ASML이 생산하는 가장 최첨단 기종이다.
올해 초 미국 인텔은 ASML의 양대 고객인 TSMC와 삼성전자를 제치고, `하이 뉴메리컬어퍼처(NA) EUV` 도입 계약을 맺어 반도체 시장을 놀라게 했다. 인텔은 2025년까지 이 장비를 이용한 초미세공정 제품 생산에 나설 계획이다.
인텔에 이어 TSMC까지 최첨단 EUV 장비 확보에 적극적으로 나서면서, 삼성전자의 움직임도 빨라지고 있다.
유럽 출장에 나선 이재용 삼성전자 부회장은 지난 14일 네덜란드 에인트호번에 있는 ASML 본사에서 피터 베닝크 최고경영자(CEO)를 만나 EUV 노광장비의 원활한 수급 방안을 논의했다. 업계에서는 삼성 역시 ASML 측에 `하이 NA EUV` 장비 공급을 요청한 것으로 보고 있다.
댄 허치슨 테크인사이트 이코노미스트는 "하이 NA EUV는 반도체 기술을 선도하는 차세대 주요 혁신 기술"이라면서 TSMC가 이를 2024년에 확보함으로써 "가장 앞선 기술을 더 빨리 얻게 됐다"고 말했다.
