삼성전자가 EUV 공정을 적용한 업계 최선단 14나노 D램 양산에 들어갔다고 12일 밝혔다.
5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 삼성전자 14나노 D램은 높은 웨이퍼 집적도로 이전 세대 대비 생산성이 20% 가량 높아졌다. 소비전력 역시 이전 공정 대비 약 20% 개선됐다.
삼성전자 측은 "작년 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 공급한데 이어, 업계에서 유일하게 업계에서 유일하게 EUV 멀티레이어 공정을 적용해 최선단 14나노 D램을 구현하는 등 차별화된 공정 기술력을 선보이고 있다"고 설명했다.
삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5 D램에 가장 먼저 적용할 예정이다.
DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격이다.
최근 인공지능, 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화 되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 지속 커지고 있다.
또한 삼성전자는 고용량 데이터 시장 수요에 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장 전무는 "고용량, 고성능 뿐만 아니라 높은 생산성으로 5G·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급해 나가겠다"고 밝혔다.
