세계 낸드 점유율 1위 기업인 삼성전자가 차세대 V낸드(vertical NAND)에 `더블 스택` 기술을 도입한다.
1일 삼성전자에 따르면 메모리사업부 마케팅팀 한진만 전무는 전날 열린 `삼성전자 투자자 포럼 2020`에서 "차세대 V낸드에 `투 스택`(Two Stack) 기술을 적용할 예정"이라며 "현재 6세대 V낸드는 `싱글 스택` 기술로 128단을 적층하는데, 투 스택 기술을 적용할 경우 단순 계산해 256단 적층까지 가능하다"고 밝혔다.
낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체다. 기본 저장 단위인 `셀`을 수직으로 높이 쌓아 올리는 것이 기술력으로, 쌓아 올리는 단 수를 늘릴수록 저장할 수 있는 데이터양이 많아진다.
앞서 미국 마이크론 테크놀로지가 기존 최고 성능이던 128단 낸드플래시보다 50층 가까이 높게 쌓은 176단 초고층 낸드플래시 양산을 깜짝 발표해 화제를 모았다.
삼성전자는 기존 128단의 6세대 V낸드를 넘어서는 7세대 V낸드를 개발하고 있는데, 양산 시점은 내년으로 예정돼 있다.
(사진=연합뉴스)
