SK하이닉스가 업계 최고속 고대역폭 메모리(HBE) D램 개발에 성공했다.
SK하이닉스가 개발한 `HBM2E`는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고대역폭 메모리(HBM) D램의 차세대 제품으로, 이전 규격인 HBM2 보다 처리 속도를 50% 높였다.
3.6기가비트(Gbit/s) 처리 속도를 구현할 수 있어, 초당 460기가바이트(GByte)의 데이터 처리가 가능하다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(3.7GB) 124편 분량의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다. 특히 초고속 특성이 필요한 고성능 GPU를 비롯해 머신러닝과 슈퍼컴퓨터, AI등 4차산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션이다.
고대역폭 메모리, HBM은 메모리 칩을 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결하는 통상적 방식이 아닌, 칩 자체를 GPU와 같은 로직 칩 등에 가까이 장착해 칩간 거리를 단축시켜 더욱 빠른 데이터 처리가 가능하다
전준현 SK하이닉스 HBM사업전략 담당은 "SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시한 이후 지금까지 기술 경쟁력을바탕으로 시장을 선도해왔다"며 "HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 지속 강화하겠다"고 밝혔다.
