SK하이닉스는 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했다고 밝혔습니다.
SK하이닉스에 따르면 2세대 제품은 1세대(1x) 대비 생산성이 약 20% 향상된 반면, 전력 소비는 15% 이상 감축했으며 데이터 전송 속도는 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적인 구현이 가능합니다.
또, 이 제품에는 데이터 전송 속도 향상을 위해 `4Phase Clocking` 설계 기술을 적용했는데, 데이터 전송 시 주고 받는 신호를 기존대비 두 배로 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 향상시켰습니다.
SK하이닉스는 특히, 전력소비를 줄이고 데이터 오류발생 가능성을 낮추기 위해 독자적인 `센스 앰프(Sense Amp) 제어 기술`도 도입했다며 D램 셀에 작은 전하 형태로 저장돼있는 데이터를 감지하고 증폭시켜 외부로 전달하는 ‘센스 앰프’의 성능을 강화하는 기술이라고 강조했습니다.
DRAM마케팅담당 김 석 상무는 "이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품으로, 내년 1분기부터 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응 할 것"이라고 말했습니다.
한편, SK하이닉스는 PC와 서버 시장을 시작으로 모바일을 비롯한 다양한 응용처에 걸쳐 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이라고 밝혔습니다.
