삼성전자가 지난 2월부터 세계에서 가장 작은 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) 8기가비트(Gb) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산하고 있다고 밝혔습니다.
10나노급 8Gb DDR4 D램은 기존 20나노 제품보다 동작 속도가 30% 빠른 3,200Mbps를 구현할 수 있고, 소비 전력도 최대 20%까지 줄일 수 있습니다.
이번 제품에는 `초고집적 설계 기술`과 `사중 포토 노광 기술`, `초균일 유전막 형성 기술` 등 3가지 혁신 기술이 적용됐습니다.
`초고집적 설계 기술`은 삼성전자가 독자 개발한 차세대 반도체 설계 기술로, 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높일 수 있습니다.
삼성전자가 업계 최초로 D램에 적용한 `사중 포토 노광 기술`은 초고집적으로 셀을 만들기 위해 한번의 포토공정으로 초미세 패턴을 4배 많이 형성하는 기술입니다.
`초균일 원자유전막 형성 기술`은 D램이 초미세 캐패시터에 충분한 양의 전하를 저장하기 위해 필요한 기술로 높은 속도에서도 제품이 안정적으로 동작할 수 있게 돕습니다.
삼성전자는 올해 10나노급 모바일 D램도 양산해 PC, 서버 시장에 이어 초고해상도 스마트폰 시장도 선점한다는 전략입니다.
