삼성전자가 D램 칩을 얇게 깎아 수직으로 연결하는 기술(TSV)을 적용해 최대 용량과 초절전 특성을 동시에 갖춘 128기가바이트(GB) 서버용(RDIMM) D램 모듈을 본격적으로 양산합니다.
이번 128기가바이트 D램 모듈은 삼성전자의 20나노 공정을 적용한 8기가비트 DDR4 D램 칩 144개로 구성돼, 외관상으로는 각 칩을 TSV적층 기술로 4개씩 쌓은 패키지 36개가 탑재됐습니다.
삼성전자는 TSV 기술이 기존 와이어를 이용한 패키지보다 신호 전송 특성이 우수하고 보다 빠른 동작속도와 낮은 소비전력을 동시에 구현할 수 있는 점이 특징이라고 설명했습니다.
또, 이번 128기가바이트 TSV D램 모듈이 기존 64기가바이트 D램 모듈보다 용량뿐 아니라 속도도 2배 정도 빠른 2,400Mbps를 구현할 수 있으며 소비전력량은 50%나 줄였다고 덧붙였습니다.
삼성전자는 올해 중에 `TSV 풀라인업`을 완성하고, 초고용량 D램 수요 증가세에 맞춰 20나노 8기가비트 D램의 생산 비중을 빠르게 늘려 제조 경쟁력을 높인다는 방침입니다.
