삼성전자가 중국 현지 메모리 반도체 공장의 본격 가동에 들어갔습니다.
삼성전자는 오늘(9일) 산시성 시안시에서 산시성 성위서기 자오쩡융, 산시성 성장 러우친젠, 권오현 부회장 등이 참석한 가운데 신규로 건설한 메모리 반도체 공장의 준공식을 갖고 본격적인 제품생산에 돌입했다고 밝혔습니다.
이번에 건립된 삼성전자 중국 메모리 반도체 공장은 2012년 9월 기공식을 갖고 약 20개월 간의 공사기간을 통해 완성됐습니다.
단지는 총 34.5만평의 부지에 연면적 7만평 규모로 건설되었으며, 한국에서 이미 성능과 양산성을 확인한 10나노급 낸드플래시(V-NAND) 메모리를 두 번째로 생산하게 됩니다.
삼성전자는 "글로벌 반도체 생산 3거점 체제란 시스템 반도체를 중심으로 하는 미국, 메모리 반도체를 중심으로 하는 중국, 그리고 모든 반도체 제품을 생산, 조정하는 한국의 최적의 포트폴리오"라고 전했습니다다.
시안 공장의 완공으로, 삼성전자는 10나노급 낸드플래시 제품의 듀얼 생산체계를 구축해 생산규모도 확대하고 고객에게 보다 안정적으로 제품을 공급할 수 있게 됐습니다.
특히 글로벌 IT 기업들의 생산거점이자 세계 낸드플래시 수요의 50%를 차지하는 중국 내에서 낸드플래시 제품을 직접 생산해 공급함으로써 시장과 고객에 더욱 효율적으로 대응할 수 있게 됐습니다.
삼성전자는 2014년 말 후공정(반도체 테스트 및 패키징) 라인까지 완공해 완벽한 일관생산체제를 완성할 계획입니다.
