삼성전자가 또 한번 반도체 역사에 큰 획을 그었습니다.
이번 신기술 발표로 경쟁사들과의 기술력 격차는 더욱 벌어질 것으로 보입니다.
박영우 기자입니다.
<기자>
삼성전자가 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드 플래시 메모리 양산에 들어갔습니다.
이번에 새롭게 양산에 들어간 플래시 메모리는 반도체 미세화 기술의 한계를 극복한 신개념 낸드 플래시 메모리입니다.
이 제품에는 삼성전자의 3차원 신기술이 적용됐습니다.
새롭게 적용된 기술 덕분에 기존 20나노미터, 사람 머리카락 굵기 5천분의 1에 해당하는 제품 대비 집적도가 2배 이상 높아졌습니다.
<인터뷰> 최정혁 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장(전무)
"10나노급 이하 반도체 기술의 한계를 뛰어넘어 앞으로 1테라비트(Tb) 이상의 낸드플래시를 출시할 수 있는 원천 기술을 확보, 낸드플래시 기술을 이끌어 나갈 패러다임을 제시한 것입니다"
제품 용량은 업계 최대인 128Gb(기가비트)입니다.
128기가비트 용량은 1천280억개 메모리 저장장소를 손톱만한 크기의 칩에 담는다는 의미입니다.
기존 낸드플래시 메모리 제품은 40여년 전 개발된 단층의 셀 구조로 이뤄져 있어 미세화 기술이 물리적인 한계에 도달한 상태입니다.
최근 10나노급 공정 도입으로 셀 간격이 대폭 좁아지면서 전자가 누설되는 간섭 현상이 심화되고 있는 상황입니다.
삼성전자는 단층으로 배열된 셀을 수직으로 쌓아올리는 기술을 통해 이 문제를 해결했습니다.
신기술을 적용 덕분에 쓰기 속도는 2배 이상 빨라지고, 소비전력은 절반으로 줄었습니다.
최근 반도체 시장이 꾸준히 회복세를 보이고 있는 가운데 나온 이번 신기술 발표로 삼성은 SK하이닉스와 도시바 등 주요 경쟁사들보다 한 발 앞섰다는 평가를 받고 있습니다.
한국경제TV 박영우입니다.