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[단독] 삼성, 평택 파운드리 '고부가 HBM' 생산 올인

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[단독] 삼성, 평택 파운드리 '고부가 HBM' 생산 올인

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    6세대 고대역폭메모리(HBM4) 제작 기간은 일반 D램의 1.5배 수준인 약 4~5개월이다. 기본 재료인 D램과 HBM의 두뇌 역할을 하는 베이스다이를 제작하고 이 위에 D램을 아파트처럼 8~16층으로 쌓는 ‘최첨단 패키징’까지 거쳐야 하기 때문이다. 지난해부터 삼성전자가 D램(메모리), 베이스다이(파운드리), 최첨단 패키징을 일괄 제공해 생산 효율성을 높이는 ‘턴키 서비스’를 HBM 필승 전략으로 삼은 이유다. 엔비디아 등 고객사 요구에 민첩하게 대응한 삼성전자는 올해 HBM4 시장에서 승기를 잡았다.

    삼성전자가 올해 이런 턴키 전략을 대폭 강화한다. 경기 평택 파운드리(반도체 수탁생산) 라인의 절반 이상을 외부 고객이 아니라 자사 HBM4 베이스다이 생산에 배정하기로 했다. 올해 승부처를 HBM4로 보고 엔비디아, 오픈AI 등의 주문에 대응하기 위해 생산량 극대화에 나선 것이란 분석이 나온다.
    ◇“파운드리도 HBM에 올인”

    19일 반도체업계에 따르면 삼성전자는 올해 평택 파운드리 라인 생산 능력의 50% 이상을 외부 고객용이 아니라 자사 HBM4 베이스다이에 배정하기로 했다. 평택 파운드리 라인은 생산 능력 월 3만 장(웨이퍼 투입량 기준)에 ‘준(俊)첨단’으로 분류되는 4~7나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 공정으로 구성된 핵심 생산시설이다.


    HBM은 두뇌 역할을 하는 베이스다이 위에 D램을 쌓는 패키징 공정을 거쳐 완성된다. 현재 HBM 시장의 주력인 HBM3E(5세대)까지는 삼성전자 메모리사업부가 베이스다이와 D램을 주로 생산해왔다.

    올 하반기 시장이 열리는 HBM4부터는 얘기가 달라진다. 엔비디아, AMD 등 주요 고객사가 과거 제품과 비교할 수 없는 수준의 고성능·저전력 HBM4를 요구하면서다. HBM 성능과 전력 효율을 좌우하는 베이스다이를 고성능 칩 제작에 유리한 파운드리 공정에서 생산할 필요성이 커졌다.


    삼성전자는 준첨단공정에 속하면서 성능이 검증된 4㎚ 파운드리 공정을 활용하는 전략을 택했다. 파워커패시터를 늘리는 등 파운드리 신기술을 적용해 전력 안정성을 높이는 승부수를 던졌다. 전략은 통했고 엔비디아용 HBM4를 업계 최초로 출하하는 성과를 냈다.
    ◇차세대 HBM 시장 주도
    삼성전자가 베이스다이 생산량 극대화에 나선 기본적인 이유는 고성능 HBM4 주문이 늘어나고 있는 것이다. 삼성전자는 당초 HBM4보다 서버용 일반 D램 모듈 생산에 주력하는 전략을 세웠다. 지난해 하반기부터 분기마다 서버용 D램 가격이 전 분기 대비 100%씩 상승해 일반 D램을 제조하는 게 복잡한 공정이 필요한 HBM보다 수익성이 높다고 판단해서다.

    분위기가 바뀐 건 엔비디아, AMD, 오픈AI 등 주요 HBM 고객사의 HBM4 수요가 늘어나면서부터다. 덩달아 HBM4 가격이 예상보다 올라가 삼성전자로서도 생산량을 늘리지 않을 이유가 없어졌다. HBM4 점유율이 곧 기술력의 상징이 된 점도 삼성의 베이스다이 우선 전략에 영향을 준 것으로 알려졌다.



    파운드리사업부 입장에서도 밑지는 장사는 아니라는 평가가 나온다. 최근 엔비디아 등으로부터 추론용 AI 칩 그록3를 수주하는 성과를 냈지만 외부 고객만으론 라인을 모두 채울 수 없는 상황이다. 올해 들어 본격적으로 내부 물량이 들어오며 삼성전자 평택 라인의 가동률이 최근 90% 이상으로 올라간 것으로 알려졌다.

    반도체업계에선 삼성 파운드리의 HBM 베이스다이 생산 물량이 해마다 증가할 것으로 보고 있다. HBM4E(7세대), 커스텀(맞춤형) HBM 등 베이스다이가 성능을 좌우하는 차세대 HBM 제품과 관련해서도 주요 고객사의 러브콜이 이어지고 있어서다.


    황정수/원종환 기자 hjs@hankyung.com






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