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SK하이닉스 "AI 활용 R&D로 메모리 혁신"

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SK하이닉스 "AI 활용 R&D로 메모리 혁신"

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    이성훈 SK하이닉스 연구개발(R&D) 공정 담당 부사장은 11일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘세미콘코리아 2026’ 기조연설에서 “기존 ‘인력 투입’ 중심의 R&D는 한계에 직면했다”며 “시간의 효율성을 극대화하는 인공지능(AI) R&D로 패러다임을 전환해야 한다”고 밝혔다.

    이 부사장이 AI를 강조한 것은 공정 난도가 높아지며 신제품을 적기에 개발하는 게 어려워지고 있어서다. 이 부사장은 “초미세 공정 등 메모리 기술이 한계에 직면한 만큼 향후 10년간 개발 난도가 대폭 올라갈 것”이라고 말했다.


    그러면서 차세대 메모리인 3차원(3D) D램을 예로 들었다. 그는 “3D D램은 셀을 수직으로 적층하는 데 한계가 있다”며 “채널(전류가 흐르는 통로)이 길어지면 전압에 문제가 생기기 때문”이라고 했다. 그러면서 그는 “앞으로 10년은 이런 문제를 해결하기 위한 신소재 도입이 불가피한 시기가 될 것”이라고 내다봤다.

    AI를 활용한 R&D 효율화도 언급했다. 이 부사장은 “기존에는 사람이 2년 동안 찾아낼 수 있는 새로운 물질이 200개 정도였지만 AI를 활용하면 탐색 기간을 400분의 1로 줄일 수 있다”고 강조했다.


    박의명 기자 uimyung@hankyung.com









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