검찰이 삼성전자의 나노 D램 공정기술을 중국 기업에 유출한 혐의를 받는 전직 임원 등 3명을 구속 상태로 재판에 넘겼다. 검찰은 이 같은 기술 유출로 삼성전자가 2024년 한 해 동안 입은 매출 감소액이 약 5조원에 달한다고 밝혔다.
1일 서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 산업기술보호법 위반 등의 혐의로 양모 씨 등 3명을 구속 기소했다고 밝혔다. 이들은 중국의 D램 반도체 업체인 창신메모리반도체(CXMT)로 이직한 뒤 삼성전자의 국가핵심기술을 활용해 D램을 개발한 혐의를 받고 있다.
검찰에 따르면 CXMT는 설립 직후 삼성전자 부장 출신인 김모 씨와 연구원 출신인 전모 씨를 영입해 1기 D램 개발 계획을 수립했다. CXMT는 중국 지방정부가 약 2조6000억원을 투자해 설립한 중국 최초의 D램 반도체 기업이다. 이들이 유출한 기술은 삼성전자가 약 1조6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노급 D램 최신 공정 기술로 알려졌다.
김 씨는 삼성전자 퇴직자인 박모 씨로부터 해당 기술 자료를 넘겨받았으며, 박 씨는 수백 단계에 이르는 D램 공정 정보를 노트에 그대로 필사한 것으로 조사됐다. 검찰은 이 같은 정황을 포착해 지난해 1월 김 씨를, 올해 5월 전 씨 등 2명을 각각 구속 기소했다. 김 씨는 1심에서 기술 유출 사건으로는 역대 최고 형량인 징역 7년을 선고받기도 했다.
검찰은 이어 2기 개발팀에 참여한 양 씨 등을 추가 수사로 확인했다. 이들은 1기 개발팀으로부터 전달받은 자료를 바탕으로 삼성전자 제품을 분해해 기술을 검증하고 테스트를 거쳐 D램을 개발한 것으로 드러났다. 검찰에 따르면 CXMT는 그 결과 중국 최초이자 세계 네 번째로 18나노급 D램 양산에 성공했다.
검찰은 이번 사건으로 인해 삼성전자가 지난해에만 약 5조원의 매출 감소 피해를 입었고, 향후 수십조 원 규모의 추가 피해도 예상된다고 밝혔다. 양 씨 등은 삼성전자보다 3~5배 많은 연봉을 받고 CXMT에 합류한 것으로 확인됐고, 연봉 규모는 15억~30억원에 달했다.
검찰 관계자는 "이번 사건은 유사 이래 최대 규모의 기술 유출 사건으로 확인됐다"며 "피해 기업은 물론 국가 경제를 위협하는 기술 유출 범죄에 대해 엄정히 대응하겠다"고 말했다.
박시온 기자 ushire908@hankyung.com
