SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 차세대 D램 생산 장비인 양산용 '하이(High) NA EUV' 장비를 도입한다. 기존보다 더 정밀하게 구현 가능한 미세 공정 기술로 칩 생산량뿐 아니라 전력 효율과 성능을 끌어올릴 수 있다는 설명이다.
SK하이닉스는 3일 이천 M16팹에 하이(High) NA EUV를 반입하고 기념행사를 진행했다고 밝혔다. 하이 NA EUV는 기존 EUV보다 더 큰 NA(개구수)를 적용해 해상도를 향상한 차세대 노광 장비다. 현존하는 가장 미세한 회로 패턴을 구현할 수 있어 선폭 축소·집적도 향상에 핵심 역할을 할 것으로 기대된다.
이날 행사엔 김병찬 ASML코리아 사장, SK하이닉스 차선용 미래기술연구원장(부사장·CTO)과 이병기 제조기술담당(부사장) 등이 참석했다.
SK하이닉스는 "치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"며 "파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망의 신뢰성과 안정성을 한층 더 강화해 나가겠다"고 했다.
반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 개선할 수 있어서다.
SK하이닉스는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 처음 도입했다. 이후 최첨단 D램 제조에 EUV를 지속해서 확대해 왔다. 하지만 미래 반도체 시장에서 요구될 극한미세화와 고집적화를 위해선 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술 장비가 필요했다는 설명이다.
이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로 하이 NA EUV 최초 양산용 모델이다. 기존 EUV(NA 0.33)와 비교해 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)을 갖췄다. 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.
SK하이닉스는 이 장비를 도입해 기존 EUV 공정을 단순화한다. 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보하려는 것이다. 이를 통해 고부가가치 메모리 시장에서 입지를 강화하고 기술리더십을 이어가겠단 기조다.
김 사장은 "하이 NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술"이라며 "SK하이닉스와 긴밀히 협력해 차세대 메모리 반도체 기술 혁신을 앞당길 수 있도록 적극 지원하겠다"고 말했다.
차 CTO는 "이번 장비 도입으로 회사가 추진하는 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다"며 "급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 했다.
김대영 한경닷컴 기자 kdy@hankyung.com
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