삼성전자는 지난해 시설 투자액이 48조2000억원이라고 27일 공시했다. 사업별로는 반도체 43조6000억원, 디스플레이 2조6000억원이다.
메모리 반도체는 극자외선(EUV) 기반 15나노 D램, V6 낸드 등 첨단공정 수요 대응을 위한 평택·시안(중국) 생산라인 증설과 공정 전환, 평택 P3 라인 인프라 투자 등을 중심으로 시설투자가 진행됐다. EUV를 포함한 차세대 기술 적용을 선제적으로 확대해 메모리 투자가 전년 대비 증가했다.
파운드리(반도체 위탁생산)는 평택 EUV 5나노 첨단공정 증설 등을 중심으로 투자가 진행됐다.
디스플레이의 경우 중소형 모듈과 퀀텀닷(QD) 디스플레이에 중점을 두고 투자했다.
최수진 한경닷컴 기자 naive@hankyung.com
