면적 줄고 성능은 동일…7나노 EUV 개발현황도 공개
삼성전자[005930]가 최첨단 파운드리(반도체 위탁생산) 기술인 10나노미터(nm·10억분의 1m) 3세대 공정을 공개했다.
3일 전자업계에 따르면 삼성전자는 이날 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 고객사와 파트너사를 대상으로 '삼성 파운드리 포럼'을 열고 파운드리 공정 확대 계획을 밝혔다.
새롭게 확대되는 공정은 14나노와 10나노 LPU(Low Power Ultimate)이다. 모바일, 컨슈머, 데이터센터, 오토모티브 등 다양한 영역의 차세대 제품에서 요구되는 고성능·저전력 특성을 극대화했다.
앞서 삼성전자는 지난달 중순 글로벌 반도체 업계 최초로 10나노 로직의 공정양산을 시작한 바 있다.
업계에서 가장 먼저 10나노 1세대 공정 양산에 돌입한 데 이어 이날 10나노 3세대 공정 기술까지 공개한 것으로, 10나노 공정의 장기적인 활용 계획을 구체화한 것이다.
14나노 4세대 공정인 14LPU는 3세대 LPC(Low Power Compact) 공정과 같은 전력으로 더 좋은 성능을 보여준다. 뛰어난 성능과 복잡한 연산 수행이 필요한 제품에적절하다.
3세대 10나노 공정인 10LPU는 이전 세대 공정인 LPE(Low Power Early)와 LPP(Low Power Performance)와 같은 성능을 유지하면서도 면적을 줄였다.
10나노 공정 양산을 위해서는 14나노 공정보다 훨씬 정교하고 미세한 회로를 그려 넣는 패터닝 작업이 필요하다.
업계에서는 미세공정 패터닝 기술의 한계로 EUV(Extreme Ultraviolet·극자외선) 기술이 도입되는 7나노 공정 양산이 이뤄지기 전까지는 10LPU가 비용 대비 효율이가장 뛰어난 공정이 될 것으로 보고 있다.
삼성전자는 이와 함께 7나노 EUV 웨이퍼와 EUV 공정 개발 현황도 밝혔다.
파운드리 최대 경쟁업체인 대만의 TSMC 등이 7나노 공정을 본격화하겠다고 밝힌가운데 삼성전자가 7나노 기술을 전격 공개한 것이다.
삼성전자는 다만 초기 비용 등을 고려해 당장 7나노에 진입하기보다 10나노 기술을 장기적으로 가져가는 전략을 택할 것으로 관측된다.
nomad@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>
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