삼성전자[005930]는 하반기에 20나노미터(nm·1nm = 10억분의 1ｍ) 공정이 대표 D램 공정으로 자리잡을 것이라고 전망했다.
삼성전자 메모리반도체사업부 백지호 전무는 29일 4분기 결산실적 콘퍼런스콜에서 이같이 말했다.
20나노 공정은 삼성전자의 기존 주력 25나노 공정에 비해 30% 이상, 경쟁사들의주력인 29나노에 비해서는 50% 이상 생산성을 높일 수 있다.
이는 300㎜의 웨이퍼로 한번에 생산할 수 있는 칩 수를 30%, 50% 더 늘릴 수 있다는 의미다.
삼성전자는 20나노 공정을 PC와 모바일 D램 이어 서버 D램으로 순차적으로 확대적용해왔다.
runran@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>
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