SK하이닉스[000660]가 20나노급 8Gb(기가비트) DDR4 기반의 128GB(기가바이트) 서버용 D램 모듈을 세계 최초로 개발했다고 7일 밝혔다.
이 제품은 첨단 실리콘관통전극(TSV·Through Sililcon Via) 기술을 활용해 기존 최대 용량인 64GB의 두 배에 해당하는 최대 용량을 구현했다.
데이터 전송속도를 기존 DDR3의 1333Mbps보다 빠른 2133Mbps로 끌어올렸으며, 64개의 정보입출구(I/O)를 가진 모듈을 통해 초당 17GB의 데이터를 처리할 수 있다.
동작전압은 DDR3의 1.35V에서 1.2V로 낮췄다.
SK하이닉스는 이 제품을 내년 상반기부터 본격 양산할 계획이다.
SK하이닉스는 최근 8Gb DDR4 기반 64GB D램 모듈에 이어 128GB 제품까지 세계최초로 개발함에 따라 서버용 D램 시장에서 기술 주도권을 더욱 공고히 할 것으로기대하고 있다.
시장조사기관인 가트너에 따르면 서버용 D램 시장은 모바일기기의 보급 확대와더불어 2018년까지 연평균 37%의 고성장을 이어갈 것으로 전망된다.
DDR4 D램은 내년부터 시장이 본격적으로 열려 2016년 이후 주력 제품이 될 것으로 예상된다.
한편 TSV는 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 만들어 전기적 신호를 전달하는 첨단 반도체 패키지 방식으로 칩 성능은 높이면서 크기를 줄일 수 있다.
abullapia@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>