서버용 SSD부터 출시…소비자용·eMMC도 조만간 나올듯
삼성전자[005930]가 세계 최초로 양산에 들어간 Ɖ차원 수직구조 낸드플래시(3D Vertical NAND flash·V-낸드)' 메모리반도체를 탑재한 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 처음 선보였다.
이는 반도체 미세화 기술의 한계를 극복한 신개념의 V-낸드로 만든 첫 완제품칩이다.
15일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 13일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개최된 '플래시메모리 서밋 2013' 행사에서 V-낸드가 탑재된 1TB(테라바이트)급 서버용SSD인 鰘GB(기가바이트) SM843T SSD'와 騸GB SM843T SSD'를 공개했다.
이들 제품은 삼성전자가 최근 양산을 시작한 128Gb(기가비트) MLC(멀티레벨셀)3D V-낸드를 사용해 기존 SLC(싱글레벨셀) 낸드플래시 기반 고성능 SSD와 같은 수준의 내구성과 신뢰성을 구현하는 등 대규모 데이터센터나 기업용 서버에 최적화된 성능을 갖췄다.
아울러 20나노미터(nm·1nm = 10억분의 1ｍ)급 낸드플래시 메모리가 탑재된 기존 제품에 비해 쓰기 속도가 최대 20% 이상 향상된 반면 전력 소비량은 최대 40% 절감할 수 있다.
삼성전자 관계자는 "앞으로도 성능을 강화한 V-낸드 칩 제품을 적기에 출시할방침"이라고 밝혔다.
이에 따라 노트북 PC에 사용할 수 있는 일반 소비자용 SSD나 스마트폰이나 태블릿PC에 쓰이는 임베디드 멀티미디어카드(eMMC), 임베디드 멀티칩패키지(eMCP) 등도조만간 V-낸드를 탑재한 제품이 나올 것으로 보인다.
삼성전자가 독자적인 기술로 개발한 V-낸드는 칩 내부의 셀 간격이 좁아져 발생하는 간섭현상 때문에 봉착했던 미세공정 기술의 한계를 수평적인 칩 설계를 수직구조로 바꿈으로써 극복해 반도체 생산기술의 대전환을 가져올 제품으로 평가받고있다.
이에 따라 같은 20나노 공정을 이용하면서도 기존 제품보다 집적도를 2배 이상높여 생산성을 대폭 향상시킬 수 있게 됐다.
abullapia@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>
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