삼성전자가 최첨단 기술인 10나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1ｍ) 시스템반도체 3세대 공정기술을 공개했다. 3세대 공정기술을 적용하면 기존 10㎚ 공정에서 만든 시스템반도체에 비해 전력소모는 줄이고 성능을 높일 수 있다는 게 회사 측의 설명이다. 삼성전자는 7㎚ 공정 개발 현황도 밝혔다.
삼성전자는 3일 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 ‘삼성 파운드리 포럼’을 열고 고객사에 파운드리 공정 확대 계획을 발표했다. 김기남 삼성전자 반도체총괄 사장이 직접 참석했다. 파운드리는 반도체 위탁생산을 의미한다. 고객사가 시스템반도체 설계도면을 제시하면 파운드리사가 생산만 하는 방식이다. 삼성전자는 자체 설계를 기반으로 반도체를 만들기도 하지만, 고객사로부터 수탁받아 반도체를 생산하기도 한다.
이날 포럼에서 공개된 공정은 14㎚ 및 10㎚ LPU(Low Power Ultimate)이다. 회사 관계자는 “기존 공정과 비교하면 제품의 성능은 좋아지고 소모전력을 줄었다”고 설명했다. 앞서 삼성전자는 지난달 중순 10㎚ 공정 시스템반도체 양산을 업계 최초로 시작했다. 업계에서 가장 먼저 10㎚ 공정 제품 양산에 돌입한 데 이어 3세대 공정까지 공개한 것이다.
삼성전자는 극자외선노광기(EUV)를 활용한 7㎚ 공정 개발 현황도 공개됐다. 7㎚ 이하 미세공정에는 기존 이머전 노광장비가 아닌 EUV라는 새 노광장비가 필요한데, 이 장비는 가격이 비싸다. 업계 관계자는 “삼성전자가 EUV를 활용한 7㎚ 웨이퍼 및 개발현황 등을 공개했지만, 당장 이를 도입하기는 쉽지 않을 것”이라고 말했다.
도병욱 기자 dodo@hankyung.com
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