세계 최초 '20나노 8기가 DDR4 서버 D램' 양산 상공
[ 김민성 기자 ] 삼성전자가 세계 최초로 20나노(10억 분의 1미터) 8기가비트(Gb) DDR4 서버 D램 양산에 성공했다고 21일 밝혔다.
올 3월 세계 최초로 20나노 PC용 D램 양산에 성공한 이후 지난 9월 모바일 D램에 이어 서버용 D램에도 20나노 공정 양산에 성공, '20나노 D램 시대'를 주도할 풀 라인업을 구축했다.
20나노 8기가비트 DDR4 서버 D램은 올해 하반기 DDR4 전용 서버 CPU 출시에 맞추어 양산을 시작한 차세대 제품으로 프리미엄 서버시장에서 기존 DDR3에서 DDR4로의 전환을 주도할 차세대 D램 제품으로 꼽힌다.
20나노 8기가비트 D램 기반의 DDR4 서버용 모듈 제품은 기존 DDR3 기반의 모듈보다 약 30% 빠른 2,400Mbps의 고성능을 구현하는 반면 동작 전압은 1.2볼트(V)로 DDR3의 1.5볼트보다 낮게 동작할 수 있어 소비 전력이 더 낮다.
기존 4기가비트 제품은 최대 64기가바이트 용량 모듈만 가능했던데 반해 20나노 8기가비트 DDR4는 최대 128기가바이트 모듈을 공급할 수 있다. 8기가비트 D램과 지난 8월 삼성전자가 세계 최초로 양산을 시작한 TSV((실리콘관통전극, Through Silicon Via) 기술을 접목했기 때문이다.
백지호 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 상무는 "차세대 서버 시스템 구축을 위한 3가지 필요 요소인 '고성능, 고용량, 저전력' 특성을 모두 만족시킨 제품"이라고 설명했다.
삼성전자는 향후 PC용은 생산 효율이 높은 4기가비트, 모바일용은 패키지 크기를 줄이면서 칩의 적층 수를 줄일 수 있는 6기가비트, 서버용은 고용량의 8기가비트 D램 등 생산에 집중할 계획이다. 사용처에 따라 최적화한 다양한 용량의 제품을 개발해 전세계 D램 시장을 선도한다는 전략이다.
◆ 실리콘관통전극 기술이란?
상단 칩과 하단 칩에 구멍을 뚫어 이를 수직 관통하는 전극을 연결하는 첨단 패키징 기술이다. 기존 방식(와이어)에 비해 속도, 소비전력을 개선할 수 있다.
한경닷컴 김민성 기자 mean@hankyung.com @mean_Ray
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