SK하이닉스가 올해 연구개발(R&D) 비용으로 1조원을 넘게 투자한다. 3차원(3D) 낸드 플래시, 차세대 D램 개발 등을 위해 매출의 10%에 가까운 돈을 R&D에 쏟아붓기로 했다.
SK하이닉스 고위 관계자는 22일 “올해 설비투자 비용은 작년보다 소폭 줄겠지만 R&D에는 처음으로 1조원 이상 투자할 계획”이라고 말했다. SK하이닉스는 2010년 7903억원을 R&D에 썼으며 2011년 8338억원, 지난해 9383억원 등으로 매년 늘려왔다. 매출에서 R&D 투자비가 차지하는 비율도 2010년 6.5%에서 지난해 9.2%로 높아졌다.
반면 올해 설비투자는 줄어들 전망이다. SK하이닉스는 지난해 3조9000억원가량(미국 LAMD사 인수비용 포함 시 4조2440억원)을 설비에 투자했지만 올해는 2조원대 후반~3조원대 초반으로 줄일 것으로 알려졌다.
지난 1분기에도 설비투자로 작년 동기(1조1450억원)의 절반 수준인 6220억원을 투입했으나 R&D에는 작년 1분기(2234억원)보다 4.4% 증가한 2389억원을 투입했다. 투자를 계속 늘릴 계획이어서 올해 R&D 투자액이 1조1000억원에 이를 것으로 예상된다.
SK하이닉스가 이처럼 많은 돈을 R&D에 쓰는 것은 미세공정 기술이 한계에 다다르면서 대체기술 개발이 필요하기 때문이다. 회사 측은 “그동안 메모리 반도체 사업의 핵심 경쟁력이 생산능력 확대와 생산원가 절감에서 나왔지만 지금은 공정 미세화가 어려워지면서 선행기술 및 응용기술 개발이 더욱 중요해졌다”고 배경을 설명했다.
반도체 업계는 그동안 회로 선폭을 줄여 성능을 높이고, 한 웨이퍼에서 나오는 반도체 개수를 늘려왔다. 그러나 최근 미세공정 기술이 10나노미터(1nm·머리카락 굵기의 1만분의 1)대 수준에 들어서면서 개발 속도가 급격히 느려지고 있다.
SK하이닉스는 낸드 플래시에서는 미세공정 한계를 넘기 위해 3D 낸드를 개발 중이다. 3D 적층 기술은 회로 선폭을 줄여 집적도를 높이는 미세공정 기술과 달리 칩을 위로 쌓아 집적도를 높이는 방식이다.
또 D램에서는 일본 도시바, 미국 휴렛팩커드 등과 손잡고 PC램, Re램, STT-M램 등 다양한 차세대 메모리를 연구하고 있다.
SK하이닉스는 지난 2월 말 엔지니어 출신인 박성욱 사장(사진)에게 최고경영자(CEO)를 맡기고 연구소 기능을 CEO 직속으로 바꾸는 등 R&D 중심의 조직 개편 및 임원인사를 했다. 또 오세용 서울대 융합과학기술대학원 초빙교수와 이석희 KAIST 전기전자공학과 교수를 각각 제조부문장(사장)과 미래기술연구원장(전무)으로 영입했다.
지난해 SK그룹에 편입돼 재무구조가 탄탄해진 것도 R&D 투자를 늘리는 배경 중 하나로 꼽힌다. 회사 관계자는 “SK그룹이 뒤를 받치면서 필요한 곳에 돈을 충분히 쓸 수 있게 됐다”고 설명했다.
김현석 기자 realist@hankyung.com
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